2SAタイプトランジスタ(1000〜)
アクセスカウンター
電子部品博物館インデックスに戻る] [トップページに戻る
2023.11. 5 Ver. 1.13 2SA1013を追加
2023.10. 1 Ver. 1.12 2SA1077を追加
2023. 9.18 Ver. 1.11 2SA12372SA1869を追加
2023. 8.20 Ver. 1.10 2SA13822SA16802SA1931を追加
2023. 7.30 Ver. 1. 9 2SA1980を追加
2023. 1.23 Ver. 1. 8 2SA12672SA12972SA13192SA1323を追加
2023. 1. 9 Ver. 1. 7 2SA10152SA10202SA1782を追加
2022.12. 4 Ver. 1. 6 2SA1741を追加
2022. 6.26 Ver. 1. 5 2SA13862SA1386Aを追加
2022. 5. 8 Ver. 1. 4 2SA11512SA1225を追加
2022. 4.29 Ver. 1. 3 2SA18802SA1887を追加
2022. 2.13 Ver. 1. 2 2SA1048を追加
2022. 1. 1 Ver. 1. 1 2SA1908を追加
2021.12.26 Ver. 1. 0 公開初版

1 はじめに
 2SAタイプのトランジスタは2,300種以上開発されています。(2020年9月現在) 手元のトランジスタをご紹介します。それぞれ、できるだけCQ出版社の規格表にない情報を記載するようにしました。外形欄の数字は、CQ出版社の最新トランジスタ規格表の外形図番号です。2SAの11〜999番台はこちら。

2 2SAタイプ
2SA1013  東京芝浦電気
1979年頃開発のトランジスタです。2SC2383とコンプリメンタリです。
長期間生産されましたが、生産後期からhFEのYランクがなくなりました。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1013 R
2SA1013 O
2SA1013 Y

1983. 3. 1
東芝 AF PA
Color TV Vert.
Si.E
PCT
-160 -160 -6 -1A 900 150 -1.0 -150 60/ /120
100/ /200
160/ /320
-5 -200 -5 -200 15/50/ / /35 TO-92MOD
2-5J1A
2SA1013 R
2SA1013 O

1997. 9. 1
2006.11.09
東芝 AF PA
Color TV Vert.
Si.E
PCT
-160 -160 -6 -1A 900 150 -1.0 -150 60/ /120
100/ /200
-5 -200 -5 -200 15/50/ / /35 TO-92MOD
2-5J1A
このページのトップに戻る
2SA1015  東京芝浦電気
1979年頃開発のトランジスタです。2SC1815とコンプリメンタリです。hFEのBLランクはありません。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1015 O
2SA1015 Y
2SA1015 GR

2002.2.7
東芝 AF
Driver
Si.E
PCT
-50 -50 -5.0 -150 400 125 -0.1 -50 70/ /140
120/ /240
200/ /400
-6.0 -2 -10 -1 80/ / /4/7 30* TO-92
2-5F1B
SC-43
このページのトップに戻る
2SA1020  東京芝浦電気
1979年頃開発のトランジスタです。2SC2655とコンプリメンタリです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1020 O
2SA1020 Y

2004.7.8
東芝 AF PA
SW
Si.E
PCT
-50 -50 -5.0 -2A 900 150 -1.0 -50 70/ /140
120/ /240
-2.0 -0.5 -2.0 -0.5A /100/ /40/ TO-92MOD
2-5J1A
このページのトップに戻る
2SA1048 東京芝浦電気
1979年頃開発のトランジスタです。耐圧の高い2SA1049あります。2SC2458とコンプリメンタリです。小型パッケージです。
2SA1015があるのになぜ開発したのか、よくわかりません。単にパッケージを小型化しただけかもしれません。
NF: /1/10 dB (VCE=-6V,I=0.1mA,f=1kHz,RG=10kΩ)
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1048 O
2SA1048 Y
2SA1048 GR
東芝 AF Si.E
PCT
-50 -50 -5.0 -150 200 125 -0.1 -50 70/ /140
120/ /240
200/ /400
-6.0 -1.0 -10 -1 80/ / /4/7 TO-92
2-4E1A
287
このページのトップに戻る
2SA1077 富士通
1979年頃開発のトランジスタです。2SC2527とコンプリメンタリです。
スイッチング特性 RL=4Ω、IC=7.5A、IB1=-IB2=0.6A
 tr: /0.15/
 tstg: /0.5/
 tf: /0.11/
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1077
(1979.9)
富士通 HS SW Si.E
RET
120 120 7 10A 60W 150 50 120 60/ /200 5 1A 10 1A 30/60/ /330/470 TO-220
このページのトップに戻る
2SA1151 日本電気 / NEC
 工業用、低周波用のシリコントランジスタです。2SC2718とコンプリメンタリです。短命であったため、インターネット上の情報量が大変少ないトランジスタです。

 NF=6dBtyp,20dBmax  VCE=-6V  IC=0.3mA  f=100Hz RG=10kΩ
 
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1151 R
2SA1151 Q
2SA1151 P
2SA1151 K
NEC AF Si.E -60 -50 -5.0 -100 250 125 -0.1 -60 90/ /180
135/ /270
200/ /400
300/ /600
-6 -1 -6 -10 50/180/ /4.5/6.0 SC43B
TO-92
PA33
138
このページのトップに戻る
2SA1225 東京芝浦電気
 1982年頃開発された、ドライバ用及び電力増幅用のシリコントランジスタで、2SC2983とコンプリメンタリです。
 左の画像の外形は2-7B1A、344です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1225 O
2SA1225 Y
東芝 AF PA Si.E
PCT
-160 -160 -5.0 -1.5A 1.0W
15W
150 -1 -160 70/ /140
120/ /240
-5 -100 -10 -100 /100/ /30/ 2-7B1A
2-7J1A
344
このページのトップに戻る
2SA1237 三洋電機
 1982年頃開発された、差動増幅用のシリコントランジスタです。オーディオアンプの初段用に使用されました。
 左の画像は外形が2029Aのものです。unit1とunit2でリード線の長さが違います。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-

cation
構造
Material

&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package

No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'

(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1237 E
2SA1237 F
2SA1237 G
三洋
電機
Diff. Si.EP -55 -50 -5 -150 400
200x2
150 -0.1 -35 100/ /200
160/ /320

280/ /560
-6 -1 -6 -1 /100/ /5.0/ 2029A
2030A
このページのトップに戻る
2SA1267 韓国電子
 1983年頃登録の低周波汎用シリコントランジスタで、2SC3199とコンプリメンタリです。
 hFE区分は東芝と同様としています。
 韓国電子は1969年創業のようです。短期間だけ、EIAJJIS形式型番のトランジスタを登録していました。
 現在ではトランジスタの製造はせず、簡単なダイオードとICのみ生産しているようです。
型名
Type
社名
Mnf.

用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1267 O
2SA1267 Y
2SA1267 GR
2SA1267 BL
韓国
電子
AF Si.E -50 -50 -5.0 -150 200 125 -0.1 -50 70/ /140
120/ /240
200/ /400
300/ /700
-6 -2 -10 1 80/ / / /3.5 30 TO-92M
287
このページのトップに戻る
2SA1297 東芝
 1983年頃開発された、低電圧の電力増幅またはスイッチング用のシリコントランジスタで、2SC3267とコンプリメンタリです。2Aもの電流が流せます。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1297 Y
2SA1297 GR
東芝 PA
SW
Si.E
PCT
-20 -20 -6.0 -2A 400 150 -0.1 -20 120/ /240
200/ /400
-2
-100
-2 500 /120/ /40/ 30 2-4E1A
このページのトップに戻る
2SA1319 三洋電機
 高電圧スイッチング用のシリコントランジスタで、2SC3332とコンプリメンタリです。
 このパッケージと高耐圧の割には大電流が流せます。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SA1319 R
2SA1319 S
2SA1319 T
三洋
電機
HV SW Si.EP -180 -160 -6 -700 700 150 -0.1 -120 100/ /200
140/ /280
200/ /400
-5
-100 -10 50 /120/ /11/ TO-92
SC-43
NF
このページのトップに戻る
2SA1323 Panasonic
 1983年頃開発された高周波用のシリコントランジスタで、2SC3314とコンプリメンタリです。3mA程度の電流で最もfTが高くなります。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cre
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SA1323 B
2SA1323 C
Panasonic RF Si.E -30 -20 -5 -30 300 150 -0.1 -10 70/ /140
110/ /220
-10
-1
-10 1 150/300/ /1.2/2.0 SC-72
New S
このページのトップに戻る
2SA1382   東芝
 1983年頃開発されたスイッチング用のシリコントランジスタです。
 
2SA1020と類似の特性です。敢えてこの形式番号で生産した考え方が知りたいです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SA1382 東芝 AF PA
High Speed SW
Si.E -50 -50 -7 -2A 900 150 -0.1 -50 150/ /400 -2 -0.5A -2 0.5A /50/ /50/ TO-92MOD
2-5J1A
このページのトップに戻る
2SA1386,2SA1386A サンケン電気
 1984年頃開発された、オーディオ電力増幅用のシリコントランジスタで、2SC35192SC3519Aとコンプリメンタリです。絶縁用のマイカシート入手が少し難しいかもしれません。
 左下のマーキングの44は、製造年月を表しており、西暦の1桁目数字+製造月なので、2014年、2004年、1994年のいずれかの年の4月製ということになります。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SA1386 O
2SA1386 P
2SA1386 Y
サンケン AF PA Si.EP -160 -160 -5.0 -15A 130W 150 -100 -160 50/ /100
70/ /140
90/ /180
-4 -5A -12 -2A /40/ /500/ MT100
TO3P-3L
324
2SA1386A O
2SA1386A P
2SA1386A Y
サンケン AF PA Si.EP -180 -180 -5.0 -15A 130W 150 -100 -160 50/ /100
70/ /140
90/ /180
-4 -5A -12 -2A /40/ /500/ MT100
TO3P-3L
324
このページのトップに戻る
2SA1395 日本電気 NEC
1985年頃開発された、工業用、高速度スイッチング用で、2SC3567とコンプリメンタリです。
コレクタ飽和電圧が低いです。 VCE(sat)=-0.6V at IC=-1.0A
モールドタイプなので使いやすいです。
上部の突起の左右にほんの少し金属部分がありますが、ここはコレクタと同電位です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1395 M
2SA1395 L
2SA1395 K
NEC SW Si.EP -100 -100 -7.0 -2.0A 15W 150 -10 -100 40/ /80
60/ /120
100/ /200
-5.0 -1.0A 96
MP-45
TO-220
このページのトップに戻る
2SA1441 日本電気 NEC
工業用、高速度スイッチング用です。
コレクタ飽和電圧が低いです。 VCE(sat)=-0.3V at Ic=-3.0A

モールドタイプなので使いやすいです。
上部の突起の左右にほんの少し金属部分がありますが、ここはコレクタと同電位です。

中身は2SA1741と同じです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1441 M
2SA1441 L
2SA1441 K
NEC SW Si.EP -100 -60 -7.0 -5.0A 25W 150 -10 -60 100/ /200
150/ /300
200/ /400
-2.0 -1.0A -10 -0.5A /80/ 130 96
MP-45
TO-220
このページのトップに戻る
2SA1680 東芝
電力増幅用、電力スイッチング用です。
コレクタ飽和電圧が低いです。 VCE(sat)=-0.5V at Ic=-1A
2SC4408とコンプリメンタリです。

型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1680
(2004.7.26)
東芝 PA
SW
Si.E
PCT
-60 -50 -6.0 -2A 900 150 -1.0 -60 120/ /400 -2.0 -100 -2 -100 /100/ 23 TO-92MOD
2-5J1A
このページのトップに戻る
2SA1741 日本電気 NEC
1989年頃開発された、工業用、高速度スイッチング用です。DC-DCコンバータやアクチュエータの駆動用に適しているとのことです。
コレクタ飽和電圧が低いです。 VCE(sat)≦-0.3V at Ic=-3.0A

モールドタイプなので使いやすいです。

中身は2SA1441と同じです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1741 M
2SA1741 L
2SA1741 K
NEC SW Si.E -100 -60 -7.0 -5.0A 2W
25W
150 -10 -60 100/ /200
150/ /300
200/ /400
-2.0 -1.0A -10 -0.5A /80/ 130 SC-67
TO-220
このページのトップに戻る
2SA1782 三洋電機
1991年頃開発された、三洋電機の低周波汎用トランジスタです。2SC4640とコンプリです。
形式番号表示に「A」の文字が無いのでPNPであることも判りません。
この頃の各社のトランジスタの厚さは2.54(mm)以下で高密度実装可能なものが多いです。2SA1782も2.2(mm)となっています。
チップはそのままでパッケージをTO-92とし、コレクタ損失を500(mW)化した2SA1783があります。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1782 S
2SA1782 T
2SA1782 U
三洋
電機
RF.AF Si.EP -55 -50 -6 -150 300 150 -0.1 -35 140/ /280
200/ /400
280/ /560
-6 -1 -6 -10 180 3.3 2033
SPA
このページのトップに戻る
2SA1784 三洋電機
三洋電機の高耐圧トランジスタです。2SC4644とコンプリです。
PNPタイプでこれほど高耐圧のものはあまりありません。
1本8円でした。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1784 D
2SA1784 E
三洋
電機
RF.AF Si.EP -400 -400 -5 -200 1W 150 -0.1 -300 60/ /100
100/ /200
-10 -50 -30 -10 70 5 NMP
このページのトップに戻る
2SA1869 東芝
東芝の電力増幅用トランジスタです。1992年頃の開発です。コレクタが絶縁されているので、放熱器への直接取り付けができます。
2SC4935とコンプリメンタリーです。ホームステレオやTVの音声出力用のようですが、このような用途はこののち急速にIC化されニーズがなくなったようです。
ICが-1A程度まではhFEの直線性が良いです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1869 O
2SA1869 Y
(1998.1.30)

(2001.5.24)
(2006.11.9)
東芝 PA Si.E
PCT
-50 -50 -5 -3A 2W
10W
150 -1.0 -50 70/ /140
120/ /240
-2 -0.5A -2 -0.5A /100/ /35/ SC67
2-10R1A
このページのトップに戻る
2SA1880 新電元
新電元のスイッチング用トランジスタです。絶縁されているので、放熱器への直接取り付けができます。
電気的特性が幅広く公開されており、電子回路設計が容易です。TP10T8というハウスナンバーでも生産されていました。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1880 新電元 SW Si. -80 -80 -7 -10A 25W 150 -100 -80 70/ / -2 -5A -10 -1A /50/ ITO-220
このページのトップに戻る
2SA1887 東芝
1992年頃開発の東芝のスイッチング用トランジスタです。絶縁されているので、放熱器への直接取り付けができます。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1887
2009
東芝 SW Si.E -80 -50 -7 -10A 2.0W
25W
150 -1 -70 120/ /400 -1 -1A -1 -1A /45/ /215/ SC-67
2-10R1A
このページのトップに戻る
2SA1908 サンケン
 1992年頃発表のオーディオ用シリコントランジスタです。2SC5100とコンプリです。
 2SA1908
は構造がEP(エピタキシャルプレーナ)ですが、2SC5100はTP(三重拡散プレーナ)です。
 左の画像ではリード線が曲げられていますが、出荷時はストレートです。絶縁板がいらないので実装が楽です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1908 O
2SA1908 P
2SA1908 Y
サンケン AF.PA. Si.EP -120 -120 -6 -8A 75W 150 -10 -120 50//100
70//140
90//180
-4 -3 -12 -0.5A /20/ /300/ TO3PF
FM100
このページのトップに戻る
2SA1931 東芝
 1993年頃発表の大電流スイッチング用シリコントランジスタです。2SC4881とコンプリです。
 
絶縁板がいらないので実装が楽です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1931 東芝 SW Si.E -60 -50 -7 -5A 2.0
25W
150 -1 -50 100/ /300 -1 -1A -1 -1A /60/ /100/ SC67
2-10R1A
このページのトップに戻る
2SA1980  光電子工業研究所
 1998年頃発表の汎用小信号シリコントランジスタです。2SC5343とコンプリメンタリです。
 ほとんどの方はこんな日本のメーカーをご存じないのではないでしょうか? データシートを検索してよく出てくるAUKは子会社です。
 互換と称する他社製トランジスタが多いです。
 左画像の2SC1980は外形がデータシートと異なります。データシートでは背面が半円柱なのですが、左画像は平面で謎です。
 
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
&
Structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SA1980 O
2SA1980 Y
2SA1980 G
2SA1980 L
光電子 AF. Si.EP -50 -50 -5 -150 500 150 -0.1 -50 70//140
120//240
200//400
300//700
-6 2 -10 -1 80// /4/7 TO-92
2SA1980 O
2SA1980 Y
2SA1980 G
2SA1980 L
AUK AF. Si.EP -50 -50 -5 -150 625 150 -0.1 -50 70//140
120//240
200//400
300//700
-6 2 -10 -1 80// /4/7 TO-92

3 おわりに
 保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

このページのトップに戻る] [電子部品博物館インデックスに戻る] [トップページに戻る