2SC type Transistor 3000-3999

　2SCタイプトランジスタ(3000～)

［電子部品博物館インデックスに戻る］　［トップページに戻る］

2023. 9.18	Ver. 1. 7	2SC3056を新規追加
2023. 7. 1	Ver. 1. 6	2SC3665を新規追加
2022.12.25	Ver. 1. 5	2SC3987を新規追加
2022.12.18	Ver. 1. 4	2SC3344を新規追加
2022. 6.26	Ver. 1. 3	2SC3519,2SC3519Aを新規追加
2022. 5.15	Ver. 1. 2	2SC3311を新規追加
2022. 5. 8	Ver. 1. 1	4000番台のリンク追加
2022. 4.29	Ver. 1. 0	公開初版

１　はじめに
　2SCタイプのトランジスタは6000種類以上開発されています。(2020年8月現在)　古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは3000番台のものとしました。11-999番、1000番台、2000番台、4000番台、5000番台もどうぞ。
　実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数値は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。
　
２　2SC3000～タイプ

2SC3056　　富士通

　富士通の高速スイッチング用シリコントランジスタで、1981年頃の開発です。
　スイッチングレギュレータによく使われました。
スイッチング特性　V_CC=150V、I_C=3A、I_B1＝-I_B2＝0.6A
　t_r：　/.05/0.5
　t_stg：　/1.25/1.5
　t_f：　/0.09/0.3

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

C_o_b
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

I_E
(mA)

2SC3056

富士通

Si.EP

450

400

50W

150

100

150

10/15/40

/30/

/100/

TO-220
268、SC-46

［このページのトップに戻る］

2SC3149　　三洋電機

　三洋電機のスイッチングレギュレータ用シリコントランジスタで、1981年頃の開発です。耐電圧が高い分だけ、h_FEは小さいです。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cre
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

I_E
(mA)

2SC3149 K
2SC3149 L
2SC3149 M

三洋

Si.TDP

900

800

1.5A

40W

150

800

10/ /20
15/ /30
20/ /40

100

-100

/15/

268
TO-220AB
SC-46

［このページのトップに戻る］

2SC3311　　松下電器産業

　松下電器産業の低周波増幅用シリコントランジスタで、1983年頃の開発です。2SC3311、2SC3311Aはそれぞれ2SA1309、2SA1309Aとコンプリメンタリです。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

I_E
(mA)

2SC3311 Q
2SC3311 R
2SC3311 S

松下

Si.EP

100

300

150

0.1

160/ /260
210/ /340
290/ /460

-1

150/250/

3.5

376
NS-B1

2SC3311A Q
2SC3311A R
2SC3311A S

松下

Si.EP

100

300

150

0.1

160/ /260
210/ /340
290/ /460

-1

150/250/

3.5

376
NS-B1

［このページのトップに戻る］

2SC3313　　松下電器産業

　松下電器産業のAM/FMラジオ用高周波用シリコントランジスタで、1983年頃の開発です。2003年頃までは量産されていたようです。パッケージが小さいので実装密度が上げられますが、耐圧が低いのでラジオ以外の用途には使用しづらいです。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T
(MHz)

Cre
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

I_E
(mA)

2SC3313 B
2SC3313 C
2003

松下

Si.EP

300

150

70/ /160
110/ /250

-1

150/250/

1.6

376
NS-B1

［このページのトップに戻る］

2SC3344　　東芝

　高電圧スイッチング用シリコントランジスタで、1983年頃の開発です。高耐圧の割には大電流が流せます。
　t_on<1.0μS 　t_f<1.0μS 　t_stg<2.5μS (I_C=3.0A, R_L=50Ω, I_B1=0.4A, V_CC≒200V)

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

Tj
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT
(MHz)

Cre
(pF)

rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE
(V)

I_C
(mA)

V_CB
(V)

IE
(mA)

2SC3344

東芝

Si.TD

500

400

1.7W
60W

150

100

400

15/ /
10/ /

5
5

1A
4A

2-10K1A

［このページのトップに戻る］

2SC3519,2SC3519A　サンケン電気

　サンケンのオーディオ電力増幅用のシリコントランジスタで、2SA1386、2SA1386Aとコンプリメンタリです。1983年頃の開発です。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
&
Structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SC3519 O
2SC3519 P
2SC3519 Y

サンケン

AF PA

Si.EP

160

5.0

15A

130W

150

100

160

50/ /100
70/ /140
90/ /180

-2A

/50/

/250/

MT100
TO3P-3L
324

2SC3519A O
2SC3519A P
2SC3519A Y

サンケン

AF PA

Si.EP

180

5.0

15A

130W

150

100

180

50/ /100
70/ /140
90/ /180

-2A

/50/

/250/

MT100
TO3P-3L
324

［このページのトップに戻る］

2SC3665 東芝

　東芝のシリコントランジスタで、オーディオのドライブ段用です。2SA1425とコンプリメンタリです。
　1985年頃の開発です。同一形状のトランジスタには、2SC3666～2SC3673などがあり、耐圧や最大電流等が異なります。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
&
Structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_C
(mA)

2SC3665 O
2SC3665 Y

東芝

AF PA

Si.E

120

800

1000

150

0.10

120

80/ /160
120/ /240

100

/120/

/ /30

387
2-7D101A

［このページのトップに戻る］

2SC3987　　三洋電機

　三洋電機のダーリントン接続、ツェナーダイオート及びダンパーダイオード内蔵のシリコントランジスタで、モータードライブやリレードライブ、ハンマードライブ用です。
　1986年頃の開発です。BC間に60±10(V)のツェナーダイオードを、CE間にダンピングダイオードを内蔵しています。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
&
Structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_C
(mA)

2SC3987

三洋電機

AF PA

Si.P

6.0

2.0W
20W

150

1000/4000 /

1.5A

/180/

/250/

2041A
TO220ML

3　おわりに
　保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

［このページのトップに戻る］　［電子部品博物館インデックスに戻る］　［トップページに戻る］