［電子部品博物館インデックスに戻る］ ［トップページに戻る］
| 2023.11. 5 |
Ver. 1. 5 |
2SC5587を追加 |
| 2023. 9.10 |
Ver. 1. 4 |
2SC5000を追加 |
| 2023. 1.23 |
Ver. 1. 3 |
2SC5352を追加 |
| 2022. 5. 8 |
Ver. 1. 2 |
4000番台へのリンク追記 |
| 2022. 4.29 |
Ver. 1. 1 |
11-999番台から3000番台へのリンク追記 |
| 2022. 1. 1 |
Ver. 1. 0 |
公開初版(2SC5100) |
１ はじめに
2SCタイプのトランジスタは6000種類以上開発されています。(2020年8月現在) 古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは2000番台のものとしました。11-999番台、1000番台、2000番台、3000番台、4000番台もどうぞ。
実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数値は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。
２ 2SCタイプ(5000〜)
| 2SC5000 東芝 |
 |
電力増幅用シリコントランジスタで、1993年頃の開発です。絶縁型のパッケージです。定格を見る限り、この時代にしては低圧、大電流で、商品としての企画意図がよくわかりません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SC5000 |
東芝 |
AF.PA |
Si.E |
80 |
50 |
7 |
10A |
25W |
150 |
1 |
70 |
120/ /400 |
1 |
1 |
1 |
1A |
/90/ |
/90/ |
|
2-10R1A |
［このページのトップに戻る］
| 2SC5100 サンケン電気 |
 |
オーディオ用シリコントランジスタで、1994年頃の開発です。2SA1908とコンプリメンタリです。
リード線が曲げられていますが、出荷時はストレートです。絶縁型のパッケージのため、大変使いやすいです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC5100 O
2SC5100 P
2SC5100 R |
サンケン |
AF.PA |
Si.TP |
160 |
120 |
6 |
8A |
75W |
150 |
10 |
160 |
50/ /100
70/ /140
90/ /180 |
4 |
3 |
12 |
-0.5A |
/20/ |
/200/ |
|
FM100
TO-3PF
249 |
［このページのトップに戻る］
| 2SC5352 東芝 |
  |
高速スイッチング用シリコントランジスタで、1995年頃の開発です。hFEの区分はありません。DC-DCコンバータなどへの応用が期待されましたが、Power
MOS FETが急速に性能向上したため、活躍の場がなくなりました。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC5352
2001.5.24
2010.10.19 |
東芝 |
HV.SW
DC-DC Conv. |
Si.TD |
600 |
400 |
7 |
10A |
80W |
150 |
100 |
480 |
20/ / |
5 |
1A |
|
|
|
|
|
2-16C1A |
［このページのトップに戻る］
| 2SC5587 東芝 |
 |
 |
ブラウン管式TVの水平出力用、高速スイッチング用のシリコントランジスタで2003年頃の開発です。
hFEの区分はありません。
高電圧用途として沿面距離を長くとるため、中央のコレクタリードは少しモールドされています。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SC5587
1999. 6.28
2001. 8.20 |
東芝 |
TV Hout
HS SW |
Si.TD Mesa |
1500 |
750 |
5 |
17A |
75W |
150 |
1mA |
1500 |
22/ /48
9/ /18
5/ /8 |
5
5
5 |
2A
7A
14A |
10 |
0.1A |
/2/ |
240 |
|
2-16E3A |
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
［このページのトップに戻る］ ［電子部品博物館インデックスに戻る］ ［トップページに戻る］
|
