2SCタイプトランジスタ(1000〜)
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2023. 9.10 Ver. 1.14 2SC1868を追加
2023. 1. 9 Ver. 1.13 2SC15462SC1615を追加
2022.11. 6 Ver. 1.12 2SC18152SC1222を追加
2022. 6.12 Ver. 1.11 2SC10342SC1454を追加
2022. 5.15 Ver. 1.10 2SC1706を追加
2022. 5. 8 Ver. 1. 9 2SC11012SC1634を追加、4000番台へのリンク追加
2022. 4.29 Ver. 1. 8 1000番台以下、2000番台、3000番台、5000番台のリンク追加
2022. 3.22 Ver. 1. 7 2SC11722SC13642SC1398を追加
2022. 2.13 Ver. 1. 6 2SC1617を追加
2022. 1.30 Ver. 1. 5 2SC1077Aを追加
2022. 1. 1 Ver. 1. 4 2SC11702SC1764を追加
2021.12.26 Ver. 1. 3 2SC10802SC1306、2SC1307を追加
2021. 8.29 Ver. 1. 2 2SC1013を追加
2021. 7.25 Ver. 1. 1 2SC1056を追加
2021. 5. 1 Ver. 1. 0 公開初版、2SCから1000番台以上を分離、2SC10862SC11242SC11272SC1358Aを追加

1 はじめに
 2SCタイプのトランジスタは6000種以上開発されています。(2020年8月現在) 古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは1000番台のものとしました。1000番台以下2000番台3000番台4000番台5000番台は、それぞれをクリックしてください。
 実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数値は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。

2 2SC1000〜タイプ
2SC1013 三菱電機
 低電圧用のシリコントランジスタで、2SA623とコンプリメンタリです。1970年頃開発のトランジスタです。少なくとも1983年にはデータブックから無くなっているため、製品寿命は短かったようです。端子は、左からCBEで、真ん中がコレクタではありません。
 
オーディオ用と銘打って販売されていたりしますが、耐圧が低いので、実際はそうではなく、民生用のラジオやテープレコーダの出力用だと思います。

   ton<0.2μs , toff<0.5μs , ts<0.6μs と低速です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1013  三菱 SW,PA Si.EP 35 20 5 1.5A 7W 150 1 25 /80/ 4 500 132
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2SC1034 SONY
 SONYの高耐圧シリコントランジスタです。セールストークは「超高耐圧電力増幅」でした。
 定電圧電源、サーボアンプ、スイッチング、水平偏向出力に使用可能とのことです。
 代替品は外形が異なる2SC3752が指定されています。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1034  SONY PA,SW
H-out
Si.TMe 1100 1100 13 1A 25W 150 5mA 800 4/18/40 3 0.75A 10 -200 /5/ /95/ 220 100
2SC1034-24 SONY PA,SW
H-out
Si.TMe 1300 1000 13 2A 150 5mA 800 4/ /40 3 0.75A 10 -200 /5/ /95/ 100
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2SC1056 SONY
 SONYの高耐圧シリコントランジスタです。高耐圧トランジスタの割にはhFEが高いです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1056  SONY RF Si.Pa Me 260 260 5 100 750 175 1 100 /150/ 5 3 20 -20 180 /7/ 181
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2SC1077A 東芝
 東京芝浦電気の通信工業用シリコントランジスタで、VHF帯の送信出力用です。
 構造はオーバレイタイプのようで、手持ち分は酷使したため、hFEが著しく低下しています。

 
type Po(W) Pi(W) f(MHz) Vcc(V)
2SC1077 40/ /  10 175 28
2SC1077A 40/50/  10 175 28
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1077  東芝 RF.PA Si.EP 65 35 4 5A 50W 175 10mA 20 20/ / 10 1A 20 -200 /150/ /45/55 2-15C
141
2SC1077A 東芝 RF.PA Si.EP 65 35 4 6A 60W 175 1.0mA 30 10/ / 5 1A 10 -200 /150/ / /100
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2SC1080 東京芝浦電気
 東芝のオーディオアンプ出力用シリコントランジスタです。2SA680とコンプリメンタリです。
 2SC1079はVCBOとVCEOがそれぞれ20V高いです。

 例によって、大陸製の偽物が多いトランジスタです。ロゴが左記と異なるものがあります。正規品にはOランクがありません。RとYのみです。
 
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(mA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SC1080 R
2SC1080 Y
東芝 AF.PA Si.TMesa 100 100 5 12A 100W 150 0.1 50 40/ /80
70/ /140
5 2A 5V 2A 4 /350/ TO-3,TC-3
2-19A,102
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2SC1086 SONY
 SONYのカラーテレビ水平出力用高耐圧シリコントランジスタです。高電圧で使用するため、沿面距離がとれるようベース、エミッタのリード線根元の絶縁が強化されています。放熱器を加工する際により大きな穴をあける必要があること、標準マイカ絶縁シートが使えないことが欠点です。安定化電源に使用しましたが、飽和電圧が大きく適当ではありません。また、高耐圧トランジスタの常として、hFEが低いのも難点です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(mA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1086 SONY H-out,PA Si.TMe 1000 1000 14 4A 125W 150 2 800 /12/ 3 2A 10 -500 5 /175/ 450 102
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2SC1101 NEC  New Jersey Semiconductor
 NECの13〜20インチカラーテレビ垂直偏向出力用高耐圧シリコントランジスタです。高電圧で使用するため、沿面距離がとれるようベース、エミッタのリード線根元の絶縁が強化されています。
 左の画像は、New Jersey Semiconductor製のものです。同社は多数の互換トランジスタを製造しているようですが、製品に使用されている状態を見たことはありません。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(mA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1101 M
2SC1101 F
2SC1101 L
2SC1101 E
2SC1101 K
NEC V-out,SW Si.TMe 1100 1000 5 1A 50W 150 1.0 1000 30/ /50
40/ /60
50/ /80
60/ /100
80/ /120
15 500 TO-3
TC-3
TB-3
TO-204MA
102
2SC1101 K NJS H-out,SW Si.TMe 1100 1000 5 1A 50W 150 1.0 1000 / / TO-3
102
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2SC11242SC1127  SONY
 外形だけを合わせて2SA7062SC1124をコンプリメンタリでプリアンプ出力段に使用したことがあります。SONYのトランジスタは他社よりも音が良いような気がしたものです。
 昔は、個人でSONYのトランジスタを入手するのは容易ではありませんでした。

2SC1124:オーディオ用
2SC1127:カラーテレビのRGB映像出力用

型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1124 SONY PA Si.Pa.Me 140 140 6 1A 950 120 1 50 /160/ 2 100 10 -10 120 6.5 5 174
2SC1127 SONY RF Si.Pa.Me 180 180 8 100 950 120 1 100 /60/ 5 3 10 -2 30 2.5 80 174
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2SC1170  東芝
カラーテレビの水平偏向出力用トランジスタです。
高耐圧トランジスタなので飽和電圧VCE(sat)は8.0Vmax (IC=3A IB=0.8A)とかなり高いです。
EBリード線の根元ガラス部分は大きめです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1170 東芝 PA Si.TMe 1200 500 5 3.5A 50W 150 10 500 12/ / 10 3A 10 0.5A /4/ /80/ 10 TO-3
TC-3
2-19C
102
2SC1170A 東芝 PA Si.TMe 1400 500 5 3.5A 50W 150 10 500 12/ / 10 3A 10 0.5A /4/ /80/ 10
2SC1170B 東芝 PA Si.TMe 1500 500 5 3.5A 50W 150 10 500 10/20/ 10 1A 10 0.1A /3/ /95/ 10
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2SC1172  東芝
 カラーテレビの水平偏向出力用トランジスタです。
 高耐圧トランジスタなので飽和電圧VCE(sat)は5.0Vmax (IC=4A IB=0.8A)とかなり高いです。
 EBリード線の根元ガラス部分は大きめです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1172 東芝 PA Si.TMe 1500 600 5 6A 50W 150 10 500 10/20/ 10 2A 10 0.1A /3/ /155/ TO-3
TC-3
2-19C
102
2SC1172A 東芝 PA Si.TMe 1500 600 5 5A 50W 150 10 500 10/20/ 10 2A 10 0.5A /2/ /165/ 10
2SC1172B 東芝 PA Si.TMe 1500 600 5 7A 50W 150 10 500 10/20/ 10 2A 10 0.5A /3/ /160/ 10
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2SC1222 日本電気  NEC
2SC1222は低雑音低周波回路用です。2SA640とコンプリメンタリですが、NECのデータシートには明確に記載がありません。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1222 F
2SC1222 E
2SC1222 U
NEC AF.LN Si.E 60 50 5.0 100 250 125 0.05 60 225/ /450
350/ 700
500/ /1000
3.0 0.5 6.0 -1.0 50/100/ /3.5/5.0 SC-43
TO-92
PA33
138
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2SC1306 2SC1307 日本電気  NEC
2SC1306
RBE=150Ω
PO=5.0Wmin f=50MHz Pi=0.5W Vcc=12V

2SC1307
RBE=30Ω
PO=13Wmin 15Wtyp f=50MHz Pi=3W Vcc=12V

50MHz程度までの高周波出力用トランジスタです。左の2SC1306はフランジの形状から見て偽物のようです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1306 NEC RF.PA Si.EP 65 65 4.0 3A 12W 150 10 40 30/80/150 10 2A 10 500 200/300/ / /30 TO-220AB
268
2SC1307 NEC RF.PA Si.EP 70 70 4.0 8A 25W 150 20 40 20/ /150 10 2A 10 500 100/150/ /80/120
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2SC1308K  三洋電機
 カラーテレビの水平偏向出力用トランジスタです。VCBOが高い一方、hFEの最小値は3という、非常に小さな値です。1970年代初頭は各社とも耐圧と電流増幅率の両立ができない技術レベルでした。
 型名末尾に「K」の文字が入りますが、何を意味しているか不明です。
高耐圧トランジスタであるため、ベースやエミッタのリード線根元のガラス封入部の直径は大きいです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1308K 三洋電機 H-OUT Si.TMe 1500 400 6 7A 50W 150 100 100 3/ / 5 4A TO-3,102
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2SC1316  SONY
 カラーテレビの高圧出力用、水平偏向出力用のトランジスタです。VCBOが高い一方、hFEの標準値は8という、非常に小さな値です。1970年代初頭は各社とも耐圧と電流増幅率の両立ができない技術レベルでした。
 下表の上段はSONYの資料から、下段はCQ出版社のデータです。
 SONY製品で2SC1316の代替をする場合、外形がモールドタイプのTO-220である2SC3559が指定されています。ただし、外形が異なるため、取付けには工夫が必要です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1316 SONY HS.SW
H-out.H-conv.
Si.TMe 800 10 1A 23W TO-66
100
2SC1316 SONY PA.SW Si.TMe 750 750 10 1A 23W 120 200 50 /8/ 3 2A 10 -200 8.5* 120 410 TO-66
100
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2SC1358A  日本電気  NEC
1972年頃の20インチクラスカラーテレビの水平偏向出力用トランジスタです。絶縁強化のため、ベース、エミッタのリード線根元のガラス部分は大きくなっています。

2SC1358:tf<1μs tstg<7.5〜10μs、VCEsat= /7.0/10、VBE=0.9/1.0/1.2、(IC=4.0A,IB=1.0A)
2SC1358A:
tr<2.5μs tf<1μs tstg<15μs
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1358 NEC SW Si.TMe 1400 500 6.0 4.5A 50W 150 20 1000 10/19/35 15 500 102、TO-3
C14A
TC-3,TB-3
2SC1358A NEC SW Si.TMe 1400 500 6.0 4.5A 50W 150 20 1000 10/19/35 15 500
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2SC1364  SONY
汎用高周波トランジスタという位置づけで、SONY製のラジオやテレビに使用されていました。
2SA678とコンプリメンタリです。
下表で1行目はCQ出版社、2〜4行目はSONYの初期資料、5行目以降は後期資料からの転載です。
途中から三菱電機への委託生産になったようです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1364 SONY RF Si.PaMe 50 50 6 200 320 120 0.2 25 200 3 1 6 -2 140 4.5 300 SC-43
138
2SC1364 三菱 OSC HF LN Si.PaMe 50 50 200 250 120
2SC1364-7 SONY OSC HF LN Si.PaMe 50 50 200 250 120
2SC1364-8 三菱 OSC HF LN Si.PaMe 50 50 200 250 120
2SC1364-5 SONY 汎用 Si.APM 50 50 6 200 320 120 0.2 25 82/ /175 3 1 6 -2 /4.5/7.0 /300/600
2SC1364-6 SONY 汎用 Si.APM 50 50 6 200 320 120 0.2 25 129/ /276 3 1 6 -2 /4.5/7.0 /300/600
2SC1364-7 SONY 汎用 Si.APM 50 50 6 200 320 120 0.2 25 204/ /442 3 1 6 -2 /4.5/7.0 /300/600
2SC1364-8 SONY 汎用 Si.APM 50 50 6 200 320 120 0.2 25 326/ /690 3 1 6 -2 /4.5/7.0 /300/600
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2SC1398  松下電器産業
松下の低周波用10W出力トランジスタで、2SA748とコンプリメンタリです。1972年頃の開発と思われます。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SC1398 P
2SC1398 Q
2SC1398 R
松下 AF.PA Si.EP 70 50 5 2A 15W 150 1 40 50/ /100
80/ /160
120/ /220
5 1A 5 500 /120/ TO-220AB
SC-46
268
2SC1398A P
2SC1398A Q
松下 AF.PA Si.EP 70 70 5 2A 15W 150 1 40 50/ /100
80/ /160
5 1A 5 500 /120/
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2SC1454  サンケン電気
 2SC1454は、1973年頃のパワートランジスタです。カラーテレビの垂直偏向出力用や安定化電源に使用されていました。高耐圧の選別品があります。
 例によって、大陸製の偽物が今でも多数販売されています。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(mA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SC1454 サンケン PA Si.TMe 300 250 6.0 4A 50W 150 1.0 300 20/ / 5 1A 12 100 /10/ 102
TO-3
2SC1454-6 サンケン PA Si.TMe 500 250 6.0 4A 50W 150 1.0 300 20/ / 5 1A 12 100 /10/
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2SC1546   東洋電具製作所   現 ROHM
 2SC1546は、東洋電具製作所製のダーリントン接続トランジスタで、1973年頃の開発です。外形は1960年代のアメリカ製トランジスタのように古典的です。リード線も金メッキです。
 株式会社東洋電具製作所は現在のROHM(ローム)です。東洋電具製作所時代は商標がR.ohm(アールオーム)でした。2SC1546は、R.ohmの時代に外形が全く異なるタイプ(2SC1615のような外形)に変更されました。
 手持ち分のhFEを測定したところ、hFE=406 IC=5.8mA VBE=887mVでした。
R.ohmの時代に、半導体サンプルを手紙で申し込んだ覚えがあります。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SC1546 A
2SC1546 B
東洋
電具
製作所
General
Purpose
Si.EP 25 20 6.0 300 300 125 1.0 15 1000/ /
5000/ /
5 100 5 -10 /250/ 3 100 29
2SC1546 A
2SC1546 B
ROHM General
Purpose
Si.EP 25 20 6.0 300 300 125 1.0 15 1000/ /
5000/ /
5 100 5 -10 /250/ 3 100 FTR
235
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2SC1615  東洋電具製作所   現 ROHM
 2SC1615は、高耐圧電圧増幅用のシリコントランジスタです。
外形のみが異なる
2SC4036(外形FTL,TL2)もあります。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SC1615 N
2SC1615 P
2SC1615 Q
東洋
電具
製作所
High
Voltage
Amp.
Si.TD 210 210
VBE=
10kΩ
5.0 30 150 125 1.0 150 56/ /270
82/ /180
120/ /270
3 5 5 2 /60/ /6/ FTR
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2SC1617  東京芝浦電気
 2SC1617は、1973年頃の白黒テレビの水平偏向出力用トランジスタです。あまりポピュラーなトランジスタではありません。東芝にしては珍しくhFEの種別もありません。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(mA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SC1617 東芝 B/W-TV
H-OUT
Si.TMe 300 100 5.0 7A 50W 150 1.0 250 30/ /150 5 1A 5 0.5A /10/ 102、TO-3
TC-3,TB-3
2-19A
2-21A1A
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2SC1634  SONY
 2SC1634は、SONYの汎用トランジスタです。下記特性の上段はCQ出版社の規格表、下段はSONY資料の数値です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
CCrbb'
(pS)
(mA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SC1634 SONY OSC.RF.LN Si.Pa.Me 50
50
50
50
6.0
6.0
200
200
320
250
120 0.2 25 /200/ 3 1 6 2 / / 4.5 300 138
TO-92
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2SC1706  日立製作所
 2SC1706は、1973年頃に開発された日立製作所の工業用でスイッチング用のトランジスタです。一般用の2SC1706はありません。1986年の規格表では、保守品種に指定されています。
VCBOVCEOが高いのですが、これは見かけだけです。VCBOは漏れ電流が10μAの時ですし、VCEOはICが1mAの時の値です。このクラスのトランジスタとしては大きめの漏れ電流です。


t
on=150nS、toff=1.5μS、tstg=2μS
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IC
(mA)
2SC1706 日立 SW Si.T.Diff 200 150 5.0 50 200 175 0.1 100 30/ /300 6 10 6 10 60/ / 10 TO-18
49C
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2SC1723  日立製作所
 2SC1723は、1973年頃開発のトランジスタで、低周波高電圧電力増幅用、TV電源励振用とされています。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(mA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1723 日立 PA Si.T LTP 300 300 5.0 200 15W 150 0.1 250 40/ /200 10 50 20 -30 /60/ /6.2/8 20 TO-220AB
268
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2SC1764   東京芝浦電気
1975年頃のトランジスタです。
28V電源の2〜30MHzSSBリニアアンプ用です。
28MHzで80W
PEP
、Gpe=14.5dB、効率40%以上とのことです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1764 東芝 HF. Si.E 65 35 4 12A 140W 175 6mA 30 10/ / 10 10A 15 0.2A 50 /220/300 2-13B1A
281
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2SC1815   東京芝浦電気
1975年頃のトランジスタです。汎用でありながら低雑音です。2SA1015とコンプリメンタリです。
もともと低雑音のトランジスタであり、このトランジスタが販売され始めて以降、低雑音トランジスタと銘打って販売されるトランジスタが激減しました。(L)タイプはさらに低雑音です。

特性が似て非なるセカンドソース品が大量に出回っていますので注意が必要です。hFE区分のBLは品薄です。

VCE(V) IC(mA) RG(Ω) freq(Hz) NF(dB)
2SC1815 6 0.1 10k 1k /1.0/10
2SC1815(L) 6 0.1 10k 100 /0.5/6
6 0.1 10k 1k /0.2/3
型名
Type
社名
Mnf.

用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1815 O
2SC1815 Y
2SC1815 GR
2SC1815 BL

(1983,2007.11.1)
東芝 AF. Si.E
PCT
60 50 5 150 400 125 0.1 60 70/ /140
120/ /240
200/ /400
350/ /700
6 2 10 1 80/ / /2.0/3.5 /50/ T-92
SC-43
2-5F1B
2SC1815(L) O
2SC1815(L) Y
2SC1815(L) GR
2SC1815(L) BL

(1983,2003. 3.27)
東芝 AF. Si.E
PCT
60 50 5 150 400 125 0.1 60 70/ /140
120/ /240
200/ /400
350/ /700
6 2 10 1 80/ / /2.0/3.5 /50/ T-92
SC-43
2-5F1B
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2SC1868    日本電気 NEC
 高速度、高耐圧、大電流スイッチング用、通信工業用のトランジスタです。用途としてスイッチングレギュレータや高周波電力増幅器が推奨されています。ただ、スイッチング特性からは高周波といっても100kHz以下と思います。
 ton 1.0μs max
 tstg 2.0μs max
 tr  1.0μs max
  IC=5.0A IB=1.0A

高耐圧トランジスタの常としてhFEは低いです。 ICが1.0A程度でも50を下回るので、ドライブ回路に苦労しそうです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1868 NEC High Speed
SW
Si.TMe 450 400 7.0 7A 80W 150 100 400 15/ /
10/ /
5.0 3.0A
5.0A
TC-3,TB-3
TO-3,102
C14A,B18
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2SC1969   三菱電機
 27MHzCB無線出力段用です。コレクタ損失が比較的大きく余裕があります。大陸製の偽物が多いので注意が必要です。レジンモールド部分の色、印字、フランジの形状で偽物はすぐ判ります。大陸製はゲインが少ない、hFEが高くバイアスが安定しないなどの症状を引き起こします。
 左の画像は、本物の2SC1969 Cです。hFEランク「C」は型名等表示最下段の右から2桁目のアルファベットです。

 Po=16W min 18W typ (Vcc=12V,Pin=1W,f=27MHz)
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC1969 X
2SC1969 A
2SC1969 B
2SC1969 C
2SC1969 D
三菱 HF.PA Si.EP 60 25 5 6A 1.7W
20W
150 100 30 10/ /25
20/ /45
35/ /70
55/ /110
90/ /180
12 10 301B
TO-220


3 おわりに
 保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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