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１ はじめに
2SAタイプのトランジスタは2,300品種以上開発されています。(2020年9月現在) 手持ちのトランジスタをご紹介します。それぞれ、できるだけCQ出版社の規格表にない情報を記載するようにしました。外形欄の数字は、CQ出版社の最新トランジスタ規格表の外形図番号です。2SAの1000番台はこちら。
２ 2SAタイプ
| 2SA49,2SA52 東京芝浦電気 |
 |
6石AMラジオの定番トランジスタでした。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fαb
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb
(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA49 |
東芝 |
455kHz |
Ge.A |
-18 |
|
-12 |
-5 |
60 |
75 |
-10 |
-18 |
30/ /200 |
-6 |
-1 |
-6 |
1 |
9 |
7.5/10.5/12.5 |
/90/160 |
TO-1
TC-1
TB-1A |
| 2SA52 |
東芝 |
MW.Conv |
Ge.A |
-18 |
|
-12 |
-5 |
60 |
75 |
-10 |
-18 |
25/ /170 |
-6 |
-1 |
-6 |
1 |
5/7/10 |
/10.5/ |
/80/160 |
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| 2SA101 松下電器産業 |
 |
松下電器産業のドリフトタイプのトランジスタです。旧形式名はMC101です。
AMラジオに良く使用されていました。
手持ちの2SA101は2SA101 ですが、この区分の規格が見当たりません。
| 分 類 |
X |
Y |
| 電力利得(dB) |
24-29 |
21-26 |
| 条 件 |
VCC=6(V) IE=1(mA) f=455(kHz) |
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fαb
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb
(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA101
(1960) |
松下 |
MW.Conv.
Mix.455kHz |
Ge.Drift |
-40 |
|
-0.5 |
10 |
60 |
75 |
-15 |
-10 |
15/30/125 |
-6 |
1 |
-6 |
1 |
10/15/ |
/1.7/5.0 |
/30/70 |
TO-1
TC-1
TB-1 |
|
2SA101
(1966) |
松下 |
Mix.455kHz |
Ge.Drift |
-40 |
|
-0.7 |
10 |
60 |
75 |
/-3/-16 |
-10 |
12/30/140 |
-6 |
1 |
-6 |
1 |
|
/2.3/5.0 |
|
TO-1
TC-1
TB-1
T-9 |
|
2SA101
(1967) |
松下 |
Mix.455kHz |
Ge.Drift |
-40 |
|
-0.7 |
10 |
60 |
75 |
/-3/-16 |
-10 |
12/30/140 |
-6 |
1 |
-6 |
1 |
|
/2.3/5.0 |
|
TO-1
TC-1
TB-1
T-9 |
|
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| 2SA122,2SA124 SONY |
 |
 |
SONYのPNPタイプ高周波用トランジスタです。2SA122は旧2T201、2SA124は旧2S138です。
最大定格は最小クラスです。
構造がドリフトタイプなので、VEBOは大変小さいはずですが、定格は公表されていません。
左の画像の白丸はコレクターマークで、ここからコレクタ、ベース、エミッタの順になります。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA122 |
SONY |
RF.Conv,
Mix,Osc. |
Ge.
Melt Diff |
-15 |
-15 |
|
-2 |
15 |
65 |
-8 |
-15 |
10/25/80 |
-6 |
-1 |
-6 |
1 |
100 |
/1.3/2.3 |
|
18 |
| 2SA124 |
SONY |
RF.Conv,
Mix,Osc. |
Ge.
Melt Diff |
-15 |
-15 |
|
-2 |
15 |
65 |
-8 |
-15 |
/33/80 |
-6 |
-1 |
-6 |
2 |
120 |
/1.3/2.2 |
|
18 |
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| 2SA350、2SA351、2SA353、2SA354 日立製作所 |
   |
日立のPNPタイプ高周波用トランジスタです。
構造がドリフトタイプなので、VEBOは大変小さいです。
高周波電力利得 VCE＝-5V I＝-1mA ｆ＝20MHz Rg＝100Ω RL=2.2kΩ
2SA350  14dB
2SA351 10.5dB  12dB
中間周波電力利得 VCE＝-9V I＝-1mA ｆ＝455kHz Rg＝1.6kΩ RC=33.5kΩ
2SA353 37dB  40dB
周波数混合利得 VCE＝-9V I＝-0.6mA ｆ＝1MHz Rg＝1.5kΩ RL=200kΩ
2SA354 38dB 41dB |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application
|
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA350 |
日立 |
HF-Conv
HF-Osc. |
Ge.GD |
-20 |
|
-0.5 |
-10 |
80 |
85 |
-10 |
-12 |
/90/ |
-9 |
-1 |
-9 |
1 |
/40/ |
/2.5/3.2 |
|
12A |
2SA351
2SA351 |
日立 |
HF-Conv
HF-Osc. |
Ge.GD |
-20 |
|
-0.5 |
-10 |
80 |
85 |
-10 |
-12 |
/70/ |
-9 |
-1 |
-9 |
1 |
/40/ |
/2.5/3.2 |
|
12A |
2SA353
2SA353 |
日立 |
455kHz IF |
Ge.GD |
-25 |
|
-0.5 |
-10 |
80 |
85 |
-10 |
-12 |
/70/ |
-9 |
-1 |
-9 |
1 |
/30/ |
/2.5/3.0 |
|
12A |
2SA354
2SA354 |
日立 |
MW-Conv |
Ge.GD |
-25 |
|
-0.5 |
-10 |
80 |
85 |
-10 |
-12 |
/70/ |
-9 |
-1 |
-9 |
1 |
/30/ |
/2.5/3.2 |
|
12A |
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| 2SA417 日本電気 |
  |
ゲルマニウムでエピタキシャルはそれほど多くはありません。メサタイプで高速スイッチング用です。
パッケージの高さが2mm程度で、薄いです。古いものは画像のように黒く塗られています。新しいものは金属のままです。
また、リード線も古いほうが長いようです。規格では12.7mm以上となっていますが、実測で40mmでした。
hFEを示すKやLの文字が印刷されていますが、データブックには説明はありません。
td+tr＜70nS ts+tf＜100nS ts＜50nS |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA417 |
日本電気 |
SW |
Ge.EMe |
-15 |
|
-2.5 |
-200 |
150 |
100 |
-5 |
-10 |
/70/ |
-0.3 |
-10 |
|
|
/15/ |
/ /3 |
50 |
TC-10
46C |
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| 2SA455 SONY |
 |
1965年頃開発のトランジスタです。2SA163、2SA164、2SA165の代替品として使用されました。底面から見て、キーから右回りにEBCSのリード線です。
8-724-551-00 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb
(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA455 |
SONY |
RF,Conv,Mix,Osc |
Ge.DB |
-22 |
-10 |
|
-10 |
60 |
85 |
-5 |
-15 |
/24/ |
-3 |
-1 |
-6 |
2 |
/630/ |
/0.45/ |
70 |
52 |
| 2SA163 |
SONY |
RF |
Ge.Me |
-20 |
|
|
-15 |
50 |
85 |
-5 |
-15 |
/ / |
-3 |
-1 |
-6 |
2 |
/400/ |
/1.2/ |
80 |
53 |
| 2SA164 |
SONY |
OSC |
Ge.Me |
-20 |
|
|
-15 |
50 |
85 |
-5 |
-15 |
/ / |
-3 |
-1 |
-6 |
2 |
/400/ |
/1.2/ |
80 |
53 |
| 2SA165 |
SONY |
OSC |
Ge.Me |
-20 |
|
|
-15 |
50 |
85 |
-5 |
-15 |
/ / |
-3 |
-1 |
-6 |
2 |
/400/ |
/1.7/ |
80 |
53 |
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| 2SA466 東京芝浦電気 |
 |
シリコントランジスタとゲルマニウムトランジスタが並行して開発されている1965年頃開発のトランジスタです。1975年にはデータブックから無くなっているため、製品寿命は短かったようです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA466 |
東芝 |
RF,Conv,Mix,Osc |
Ge.GD |
-18 |
|
|
-10 |
55 |
85 |
-12 |
-18 |
/40/ |
-6 |
-1 |
-6 |
1 |
/15/ |
/ /3 |
50 |
12A |
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| 2SA504 東京芝浦電気 |
 |
1965年頃開発の通信工業用シリコントランジスタです。1977年でも生産されていました。2SC504とコンプリメンタリです。
さて、上段の東芝データブック(1975年)数値と中段の東芝データブック(1983年)、下段のCQ出版社のトランジスタ規格表(1981年)数値とが大幅に異なります。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb'(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SA504 O
2SA504 Y
2SA504 GR
(1975)T |
東芝 |
RF
High Speed SW |
Si.E
(PCT) |
-40 |
-30 |
-5 |
-600 |
800
6W |
175 |
-0.5 |
-30 |
30/ /90
50/ /150
100/ /300 |
-2 |
-150 |
-10 |
10 |
50/130/ |
/18/30 |
/10/30 |
TO-39
TC-5
TB-5B
2-8J |
2SA504 O
2SA504 Y
2SA504 GR
(1983)T |
東芝 |
RF
High Speed SW |
Si.E
(PCT) |
-80 |
-60 |
-5 |
-600 |
800
6W |
175 |
-0.5 |
-60 |
30/ /90
50/ /150
100/ /300 |
-2 |
-150 |
-10 |
10 |
50/80/ |
/22/30 |
/12/30 |
TO-39
TC-5
TB-5B
2-8B1A |
2SA504
(1981)CQ |
東芝 |
RF
High Speed SW |
Si.E |
-80 |
-60 |
-5 |
-600 |
800
6W |
175 |
-0.5 |
-60 |
30/ /300 |
-2 |
-150 |
-10 |
10 |
80 |
22 |
12 |
84B |
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| 2SA544 日本電気 NEC |
 |
2SA544は1965年頃開発のシリコントランジスタです。2SC32又は2SC594 とコンプリメンタリです。1977年のデータブックでは2SC594とのコンプリメンタリを解消しています。2SC32のデータシートには何故か2SA544とコンプリメンタリとの記述は見当たりません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb'
(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SA544
(1969) |
NEC |
RF
SW |
Si.E |
-60 |
-45 |
-5.0 |
-200 |
750 |
175 |
-0.1 |
-45 |
40/130/200
|
-10 |
-10 |
-10 |
10 |
160/250/ |
/4.0/7.0 |
|
TC-5
TB-5B
TO-39 |
2SA544
(1977) |
NEC |
RF
SW |
Si.E |
-60 |
-45 |
-5.0 |
-200 |
750 |
175 |
-0.1 |
-45 |
40/ /120
100/ /200 |
-10 |
-10 |
-10 |
10 |
160/250/ |
/4.0/7.0 |
|
TC-5
TB-5B
TO-39 |
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| 2SA562 2SA562TM 東京芝浦電気 |
 |
 |
2SA562は1965年頃開発のシリコントランジスタです。2SC735とコンプリメンタリです。1971年のデータシートは暫定のようです。左の画像は1970年代、右の画像は2007年頃以降です。
1975年のデータシートではhFEのRランクがなくなりました。また、2SA562TMではhFEのGRランクがなくなりました。
2SA562TMは2SC1959とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
P
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb'
(Ω) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
2SA562 R
2SA562 O
2SA562 Y
2SA562 GR
(1971) |
東芝 |
AF.PA |
Si.EP |
-30 |
-30 |
-5 |
-400 |
300 |
125 |
-0.1 |
-18 |
40/ /80
70/ /140
120/ /240
200/ /400 |
-1 |
-100 |
-6 |
|
|
/13/ |
|
33
2-5B |
2SA562 O
2SA562 Y
2SA562 GR
(1975) |
東芝 |
AF.PA |
Si.E
PCT |
-30 |
-30 |
-5 |
-400 |
300 |
125 |
-0.1 |
-18 |
70/ /140
120/ /240
200/ /400 |
-1 |
-100 |
-6 |
|
|
/13/ |
|
33
2-5B |
2SA562TM O
2SA562TM Y
(1983)(1997)
(2007) |
東芝 |
AF.PA
SW |
Si.E
PCT |
-35 |
-30 |
-5 |
-500 |
500 |
150 |
-0.1 |
-35 |
70/ /140
120/ /240 |
-1 |
-100 |
-6 |
-20 |
/200/ |
/13/ |
|
138
SC-43
2-5F1B
TO-92 |
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| 2SA565 日立製作所 |
 |
2WクラスのHiFiアンプ終段ドライバー用として開発されたシリコントランジスタです。2SC984とコンプリメンタリです。
外形は昔ながらのTO-1，12Aです。日本の半導体メーカーでは最も遅い時期までこの外囲器を使用していたのではないかと思います。
下表で上段は日立発表のデータ、下段はCQ出版社の規格表のデータです。微妙に数値が違います。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Rating (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA565 |
日立 |
AF |
Si.EP |
-50 |
-50 |
-4 |
-500 |
350 |
175 |
-1 |
-20 |
40/ /200 |
-3 |
-10 |
-6 |
1 |
/100/ |
|
|
12A |
| 2SA565 |
日立 |
AF |
Si.EP |
-50 |
-50 |
-4 |
-500 |
300 |
175 |
-0.5 |
-20 |
/80/ |
-3 |
-10 |
-6 |
1 |
/60/ |
5 |
30* |
12A |
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| 2SA618 日立製作所 |
 |
電子式卓上計算機の高輝度表示回路用として開発されたシリコントランジスタです。
下表で上段はCQ出版社の規格表のデータ、下段は日立発表のデータです。微妙に数値が違います。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Rating (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
| 2SA618 |
日立 |
RF |
Si.T |
-180 |
-180 |
-5 |
-50 |
200 |
175 |
-1 |
-150 |
/60/ |
-3 |
-15 |
-10 |
-10 |
/60/ |
3.5 |
40 |
244
182C |
2SA618 |
日立 |
|
Si.T |
-180 |
-180 |
-5 |
-50 |
200 |
175 |
-1.0 |
-150 |
40/80/200 |
-3 |
-15 |
-10 |
-10 |
40/ / |
//10 |
|
244
182C |
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| 2SA623 三菱電機 |
 |
低電圧用のシリコントランジスタで、2SC1013とコンプリメンタリです。1970年頃開発のトランジスタです。少なくとも1983年にはデータブックから無くなっているため、製品寿命は短かったようです。端子接続は、型番に向かって左からCBEで、真ん中はコレクタではありません。
オーディオ用と銘打って販売されていたりしますが、耐圧が低いので、実際はそうではなく、民生用のラジオやテープレコーダの出力用だと思います。
tON<0.2μs , toff<0.5μs , ts<0.6μs と低速です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA623 |
三菱 |
SW,PA |
Si.EP |
-35 |
-20 |
-5 |
-1.5A |
7W |
150 |
-1 |
-25 |
/100/ |
-4 |
-500 |
|
|
|
|
|
TO218,132 |
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| 2SA634 日本電気 NEC |
 |
 |
低周波電力増幅用、低速度スイッチング用のシリコントランジスタで、2SC1096とコンプリメンタリです。1970年頃開発のトランジスタです。少なくとも1986年にはデータブックから無くなっています。端子接続は、型番に向かって左からBCEで、上部の金属部はコレクタです。
外形には、上部の金属部がストレートの平板状のもの、Ｌ字形に曲げられているもの、左の画像のように階段状に曲げられているものがあります。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application
|
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SA634 N
2SA634 M
2SA634 L
2SA634 K |
NEC |
AF PA
Low SW |
Si.E |
-40 |
-30 |
-5.0 |
-3.0A |
1.2W
10W |
150 |
-1.0 |
-30 |
40/ /60
50/ /100
80/ /160
120/ /250 |
-5 |
-1A |
5.0 |
1.0A |
/55/ |
/75/ |
|
167
4S,4L,4Z |
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| 2SA640 日本電気 NEC |
 |
低雑音低周波用シリコントランジスタで、2SC1222とコンプリメンタリです。1970年頃開発のトランジスタです。
NF 1.5/4.0/ (dB) VCE(V)=-6.0 IC＝-0.3(mA) RG=10(kΩ) f=100(Hz) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA640 F
2SA640 E
2SA640 U |
NEC |
AF.LN |
Si.EP |
-50 |
-50 |
-5 |
-50 |
250 |
150 |
-0.05 |
-50 |
225/ /450
350/ /700
500/ /1000 |
-3 |
-0.5 |
6 |
1.0 |
50/ /100 |
6.5/10/ |
|
SC-43
TO-92
PA33 |
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| 2SA677,2SA678 SONY |
 |
 |
SONYのPNPタイプ汎用トランジスタです。画像の左が一番古いタイプで右に行くほど新しい外形です。一番古いタイプは緑色で、右の画像のように、形式及びロット番号が表裏に印刷されています。
2SA677は2SC633A及び2SC1363、2SA678は2SC634A及び2SC1364とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA677 |
SONY |
RF.SW. |
Si.E |
-25 |
|
-5 |
-200 |
250 |
100 |
-0.5 |
-25 |
250 |
-3 |
-1 |
-6 |
2 |
140 |
6 |
60pS |
38 |
| 2SA678 |
SONY |
RF.SW. |
Si.E |
-50 |
|
-5 |
-200 |
320 |
125 |
-0.5 |
-25 |
250 |
-3 |
-1 |
-6 |
2 |
140 |
6 |
60pS |
38 |
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| 2SA680 東京芝浦電気 |
 |
東芝のオーディオアンプ出力用トランジスタです。多くのオーディオアンプに使用されました。
コンプリメンタリーは2SC1080です。
何故か、hFEの区分に「O」がありません。
大陸製の偽物に注意が必要です。NEC製と称するものや左記以外の新しい東芝マークがあったりします。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA680 R
2SA680 Y |
東芝 |
AF.PA |
Si.EMesa |
-100 |
-100 |
-5 |
-12A |
100W |
150 |
-100 |
-50 |
40/ /80
70/ /140 |
-5 |
2A |
-5 |
-2A |
/6/ |
900 |
|
TC-3
TO-3
2-19A
102 |
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| 2SA720 松下電器産業 |
   |
1971年頃開発の低周波小出力用トランジスタです。2SC1318とコンプリメンタリです。
これといって特徴のないトランジスタです。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA720 Q
2SA720 R
2SA720 S
|
松下 |
AF.PA |
Si.EP |
-60 |
-50 |
-5 |
-500 |
625 |
150 |
-0.1 |
-20 |
85/ /170
120/ /240
170/ /340 |
-10 |
-150 |
-10 |
-50 |
/200/ |
/6/15 |
|
TO-92
SC-43A
138 |
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| 2SA884 SONY |
 |
SONYのPNPタイプデュアルトランジスタです。オーディオアンプの初段によく使用されました。
もう少し耐圧が欲しいところです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SA884 |
SONY |
RF |
Si.E |
-65 |
-65 |
-5 |
-200 |
270 |
120 |
-0.5 |
-50 |
250 |
-3 |
-1 |
-6 |
2 |
140 |
6 |
60pS |
277 |
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| 2SA913A 松下電器産業 |
 |
1977年頃開発の低周波用トランジスタです。2SC1913、2SC1913Aとコンプリメンタリです。
60〜100Wクラスのオーディオアンプドライブ用に適しているとのことです。
上段：P177 VCE(SAT) /0.2/0.6(V) IC=-500mA，IB=-50mA VBE(SAT) /0.85/1.2(V)
中段：P138 VCE(SAT) / /1.0(V) IC=-500mA，IB=-50mA VBE(SAT) / /1.5(V)
下段：P138 VCE(SAT) / /1.5(V) IC=-300mA，IB=-30mA VBE(SAT) / /1.5(V) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA913 P
2SA913 Q
2SA913 R
2SA913 S |
松下 |
RF |
Si.EP |
-150 |
-150 |
-5.0 |
-1A |
15W |
150 |
|
|
65/ /110
90/ /155
130/ /220
185/ /330 |
-10 |
-150 |
-10 |
50 |
/120/ |
/ /50 |
|
TO-220AB
268 |
2SA913 P
2SA913 Q
2SA913 R
2SA913 S |
松下 |
RF |
Si.EP |
-150 |
-150 |
-5.0 |
-1A |
15W |
150 |
|
|
65/ /110
90/ /155
130/ /220
185/ /330 |
-10 |
-150 |
-10 |
50 |
/120/ |
/ /15 |
|
TO-220AB
268 |
2SA913A P
2SA913A Q
2SA913A R
2SA913A S
|
松下 |
AF.RF |
Si.EP |
-180 |
-180 |
-5.0 |
-1A |
15W |
150 |
|
|
65/ /110
90/ /155
130/ /220
185/ /330 |
-10 |
-150 |
-10 |
50 |
/120/ |
/ /15 |
|
TO-220AB
268 |
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| 2SA933 ROHM |
 |
 |
1977年頃開発の汎用シリコントランジスタです。2SC1740/2SC1740Sとコンプリメンタリです。外形違いで2種類あります。
本形式は、2SA933→2SA933A→2SA933ALNの順に高耐圧化、低雑音化が図られたようです。
CQ出版社の規格表(赤文字)とROHM発表のデータとではhFEの範囲が合いません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA933 Q
2SA933 R
2SA933 S |
ROHM
|
AF,RF
OSC,SW |
Si.EP |
-50 |
-40 |
-5.0 |
-100 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
120/ /270
180/ /390
270/ /560
82/ /390 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
TO-92
SC43
138
SC72 |
2SA933S Q
2SA933S R
2SA933S S |
ROHM |
AF,RF
OSC,SW |
Si.EP |
-50 |
-40 |
-5.0 |
-100 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
120/ /270
180/ /390
270/ /560
82/ /390 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
SPT |
|
2SA933LN Q
2SA933LN R
2SA933LN S |
ROHM |
AF LN |
Si.EP |
-50 |
-40 |
-5.0 |
-100 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
180/ /390
270/ /560 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
TO-92
SC43 |
|
2SA933SLN Q
2SA933SLN R
2SA933SLN S |
ROHM |
AF LN |
Si.EP |
-50 |
-40 |
-5.0 |
-100 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
180/ /390
270/ /560 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
SC72
SPT |
|
2SA933A Q
2SA933A R
2SA933A S
(2009.12) |
ROHM |
General
Purpose |
Si.EP |
-60 |
-50 |
-6.0 |
-150 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
120/ /270
180/ /390
270/ /560 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
TO-92
SC43
138 |
|
2SA933AS Q
2SA933AS R
2SA933AS S
(2009.12) |
ROHM |
General
Purpose |
Si.EP |
-60 |
-50 |
-6.0 |
-150 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
120/ /270
180/ /390
270/ /560 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
SPT
SC72 |
|
2SA933ALN R
2SA933ALN S |
ROHM |
AF LN |
Si.EP |
-60 |
-50 |
-6.0 |
-150 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
180/ /390
270/ /560 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
TO-92
SC43
138 |
|
2SA933ASLN R
2SA933ASLN S |
ROHM |
AF LN |
Si.EP |
-60 |
-50 |
-6.0 |
-150 |
300 |
125 |
-0.5 |
-30 |
180/ /390
270/ /560 |
-6.0 |
-1 |
-12 |
2.0 |
/140/ |
/4.0/5.0 |
|
SPT
SC72 |
|
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| 2SA952 日本電気 NEC |
 |
1978年頃開発の低周波用トランジスタで、ポータブルラジオ、カセットテープレコーダの出力段等の用途向けに開発されました。2SC2001とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA952 M
2SA952 L
2SA952 K |
NEC |
AF PA |
Si.E |
-30 |
-25 |
-5.0 |
-700 |
600 |
150 |
-0.1 |
-30 |
90/ /180
135/ /270
200/ /400 |
-1.0 |
-100 |
-6.0 |
10 |
50/160/ |
/17/40 |
|
TO-92
SC-43B
PA33,138 |
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| 2SA953 日本電気 NEC |
 |
1978年頃開発の低周波用トランジスタで、高電圧のオーディオドライバー用途向けに開発されました。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA953 M
2SA953 L
2SA953 K |
NEC |
AF DRV. |
Si.E |
-60 |
-60 |
-5.0 |
-300 |
600 |
150 |
-0.1 |
-60 |
90/ /180
135/ /270
200/ /400 |
-1.0 |
-50 |
-6.0 |
10 |
50/100/ |
/13/25 |
|
TO-92
SC-43B
PA33,138 |
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| 2SA988 日本電気 NEC |
 |
 |
 |
1978年頃開発の低周波用トランジスタです。高耐圧、高hFEです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA988 PA
2SA988 FA
2SA988 EA |
NEC |
AF |
Si.E |
-120 |
-120 |
-5.0 |
-50 |
500 |
125 |
-0.05 |
-120 |
200/ /400
300/ /600
400/ /800 |
-6.0 |
-0.1 |
-6.0 |
1.0 |
50/100/ |
/2.0/3.0 |
|
TO-92
SC-43B
PA33,138 |
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| 2SA992 日本電気 NEC |
  |
1978年頃開発の低周波用トランジスタで、高耐圧、高hFEです。
2SA988の低ノイズ版で、2SC1845とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
&
Structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SA992 P
2SA992 F
2SA992 E |
NEC |
AF |
Si.E |
-120 |
-120 |
-5.0 |
-50 |
500 |
125 |
-0.05 |
-120 |
200/ /400
300/ /600
400/ /800 |
-6.0 |
-0.1 |
-6.0 |
1.0 |
50/100/ |
/2.0/3.0 |
|
TO-92
SC-43B
PA33,138 |
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
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