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1 はじめに
2SCタイプのトランジスタは6000種類以上開発されています。(2020年8月現在) 古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは4000番台のものとしました。11-999番、1000番台、2000番台、3000番台、5000番台もどうぞ。
実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数値は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。
2 2SC4000〜タイプ
2SC4043S ROHM |
|
|
ROHMの高周波シリコントランジスタで、1988年頃の開発です。耐電圧が低いので注意して使用します。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(GHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC4043S |
ROHM |
RF |
Si.EP |
20 |
11 |
3 |
50 |
300 |
150 |
0.5 |
10 |
82/ /180 |
10 |
5 |
10 |
10 |
1.4/3.2/ |
/0.8/1.5 |
/4/12 |
SPT |
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2SC4137 ROHM |
|
ROHMの高利得シリコントランジスタで、1988年頃の開発です。
ダーリントンではないのに、hFEが高いのですが、これだけ、耐圧が低いと用途が限定されます。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC4137 U
2SC4137 V
2SC4137 W |
ROHM |
AF |
Si.EP |
25 |
20 |
6 |
100 |
1W
4W |
150 |
0.5 |
15 |
560/ /1200
820/ /1800
1200/ /2700 |
10 |
20 |
10 |
-10 |
/300/ |
3 |
200 |
244
TO-126FP |
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2SC4350 日本電気 NEC |
|
日本電気のダーリントンタイプのシリコントランジスタで1988年頃の開発です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC (mW) |
Tj (℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)* CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC4350 M
2SC4350 L
2SC4350 K |
NEC |
AF |
Si.EP |
100 |
100 |
7 |
10A |
40W |
150 |
1 |
100 |
2000/ /5000
4000/ /10000
8000/ /20000 |
2 |
5A |
|
|
|
|
|
MP-40 |
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2SC4408 東芝 |
|
東芝のシリコントランジスタで、1988年頃の開発です。2SA1680とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SC4408
(1997. 2. 3)
(2004. 7.26) |
東芝 |
AF PA
SW |
Si.E PCT |
80 |
50 |
6 |
2A |
900 |
150 |
1.0 |
80 |
120/ /400 |
2 |
100 |
2 |
100 |
/100/ |
/14/ |
|
TO-92MOD
2-5J1A |
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2SC4445 サンケン |
|
|
サンケンの高耐圧高速スイッチング用シリコントランジスタで、1989年頃の開発です。高耐圧トランジスタはhFEが低いことが多いのですが、このトランジスタも10〜30と低いです。本来の脚はもう少し長いです。左の画像は少しカットしたものです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(A) |
2SC4445
(1997. 2. 3) |
サンケン |
HV SW |
Si.TD |
900 |
800 |
7 |
3A |
60W |
150 |
100 |
800 |
10/ /30 |
4 |
0.7A |
12 |
-0.3 |
/15/ |
/50/ |
|
TO-3PF
FM100 |
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2SC4935 東芝 |
|
東芝の電力増幅用シリコントランジスタで、1992年頃の開発です。2SA1869とコンプリメンタリーです。
モールドタイプなので、放熱器に直接取り付けができます。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(A) |
2SC4935 O
2SC4935 Y
(1997. 5.6)
(2004.7.7) |
東芝 |
PA |
Si.E
PCT |
50 |
50 |
5 |
3A |
2.0W
10W |
150 |
1 |
50 |
70/ /140
120/ /240 |
2 |
0.5A |
2 |
-0.5 |
/80/ |
/30/ |
|
SC-67
2-10R1A |
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
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