2SCタイプトランジスタ(4000〜)
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2023. 9.18 Ver. 2. 3 2SC4935を新規追加
2023. 1. 9 Ver. 2. 2 2SC40432SC4445を新規追加
2022.12.25 Ver. 2. 1 2SC4350を新規追加
2022.11. 6 Ver. 2. 0 2SC4408を新規追加
2022. 5. 8 Ver. 1. 0 公開初版

1 はじめに
 2SCタイプのトランジスタは6000種類以上開発されています。(2020年8月現在) 古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは4000番台のものとしました。11-999番1000番台2000番台3000番台5000番台もどうぞ。
 実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数値は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。
 
2 2SC4000〜タイプ
2SC4043S   ROHM
 ROHMの高周波シリコントランジスタで、1988年頃の開発です。耐電圧が低いので注意して使用します。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package

No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(
GHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/ma
x
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC4043S ROHM RF Si.EP 20 11 3 50 300 150 0.5 10 82/ /180 10 5 10 10 1.4/3.2/ /0.8/1.5 /4/12 SPT
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2SC4137   ROHM
 ROHMの高利得シリコントランジスタで、1988年頃の開発です。
 ダーリントンではないのに、hFE
が高いのですが、これだけ、耐圧が低いと用途が限定されます。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package

No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
A) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC4137 U
2SC4137 V
2SC4137 W
ROHM AF Si.EP 25 20 6 100 1W
4W
150 0.5 15 560/ /1200
820/ /1800
1200/ /2700
10 20 10 -10 /300/ 3 200 244
TO-126FP
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2SC4350   日本電気  NEC
 日本電気ダーリントンタイプのシリコントランジスタで1988年頃の開発です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package

No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SC4350 M
2SC4350 L
2SC4350 K
NEC AF Si.EP 100 100 7 10A 40W 150 1 100 2000/ /5000
4000/ /10000
8000/ /20000
2 5A MP-40
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2SC4408   東芝
 東芝のシリコントランジスタで、1988年頃の開発です。2SA1680とコンプリメンタリです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package

No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IC
(mA)
2SC4408
(1997. 2. 3)
(2004. 7.26)
東芝 AF PA
SW
Si.E
PCT
80 50 6 2A 900 150 1.0 80 120/ /400 2 100 2 100 /100/ /14/ TO-92MOD
2-5J1A
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2SC4445   サンケン
 サンケンの高耐圧高速スイッチング用シリコントランジスタで、1989年頃の開発です。高耐圧トランジスタはhFEが低いことが多いのですが、このトランジスタも10〜30と低いです。本来の脚はもう少し長いです。左の画像は少しカットしたものです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package

No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(A)
2SC4445
(1997. 2. 3)
サンケン HV SW Si.TD 900 800 7 3A 60W 150 100 800 10/ /30 4 0.7A 12 -0.3 /15/ /50/ TO-3PF
FM100
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2SC4935    東芝
 東芝の電力増幅用シリコントランジスタで、1992年頃の開発です。2SA1869とコンプリメンタリーです。
モールドタイプなので、放熱器に直接取り付けができます。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package

No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IC
(A)
2SC4935 O
2SC4935 Y

(1997. 5.6)
(2004.7.7)
東芝 PA Si.E
PCT
50 50 5 3A 2.0W
10W
150 1 50 70/ /140
120/ /240
2 0.5A 2 -0.5 /80/ /30/ SC-67
2-10R1A

3 おわりに
 保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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