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１ はじめに
2SCタイプのトランジスタは6000種以上開発されています。(2020年8月現在) 古いトランジスタが出てきましたので、ご紹介します。このページでは2000番台のものとしました。11-999番、1000番台、3000番台、4000番台、5000番台もどうぞ。
実際に使用したものにはコメントを付けました。下表の数字は、原則としてメーカー発表の一次資料によります。
２ 2SC2000〜タイプ
| 2SC2074 東京芝浦電気 |
 |
シチズンバンド(27MHz)用無線機の高周波ドライブ段用シリコントランジスタで、1975年頃の開発です。東芝のデータブックにデータが掲載されたことはないようで、定格は全く不明です。しかし、一部の東芝データブックでは廃品種として記載されており、東芝製であったことは間違いありません。
形式番号表示では、「C2074-B」や「C2074-C」、「C2074-Y」などがあります。BやCが何を示すものかよくわかりません。
2SC2074は、輸出向け27MHz帯トランシーバに使用されていました。同一形式の同一箇所にロットごとに同等品として使用されていたのが、2SC1760、2SC1846、2SC1957、2SC2074です。よって、それらのうちの最低定格であったとするならば、一番定格の小さい2SC1846と同等程度の定格と考えられます。
一方、2SC2074が特定機器メーカー向けの専用品であったとするならば、定格が公開されなかったのは理解できます。また、製造費に見合うだけの数量を生産するのは難しいことから、既存の設計を転用したとも考えられます。これらを総合すると、同等用途の2SC2036のチップを別の外囲器に収めた可能性もあります。
同等品としてNTE322があげられていますが、出どころは不明です。
下記の2SC2074の定格数値は推定ですが、当たらずとも遠からずというところでしょう。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SC2074 注1 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
80 |
80
RBE=220 |
5 |
1A |
1W |
150 |
0.1 |
60 |
100/ / |
2 |
150 |
10 |
-100 |
150 |
/12/ |
|
2-10C1A
249 |
| 2SC2074 注2 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
45 |
35 |
4 |
1A |
750 |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
|
|
|
2SC1760 1
2SC1760 2
2SC1760 3
2SC1760 4
2SC1760 5 |
SONY |
RF,PA |
Si.E |
100 |
50 |
6 |
1.5A |
950
7.9W |
150 |
0.2 |
25 |
98/ /156
140/ /222
199/ /316
285/ /451
409/ /649 |
2 |
100 |
2 |
-10 |
80 |
/16/40 |
|
174B |
2SC1846 Q
2SC1846 R
2SC1846 S |
松下 |
RF,PA |
Si.EP |
45 |
35 |
5 |
1A |
1.2W |
150 |
0.1 |
20 |
85/ /170
120/ /240
170/ /340 |
10 |
500 |
10 |
-50 |
/200/ |
15 |
|
TO-126B-A1
222 |
| 2SC1957 |
NEC |
RF,PA
27MHz 1.8W |
Si.E |
75 |
40 |
4.0 |
1A |
750
5W |
150 |
1.0 |
40 |
20/90/200 |
10 |
500 |
10 |
-150 |
150/250/ |
/14/20 |
|
225 |
| 2SC2036 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
80 |
80
RBE=220 |
5 |
1A |
1W |
150 |
0.1 |
60 |
100/ / |
2 |
150 |
10 |
-100 |
/150/ |
/12/ |
|
2-8J1A
225 |
| 2SC1628 |
東芝 |
RF,PA |
Si.TD |
180 |
150 |
5 |
50 |
1W |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
120 |
<5 |
|
2-10C1A
249 |
| 2SC2194 |
東芝 |
RF,PA |
Si.E |
60 |
|
5 |
1.5A |
1W |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
100 |
20 |
50 |
| 2SC2384 |
東芝 |
RF,PA |
Si. |
160 |
|
6 |
1A |
10W |
150 |
|
|
/ / |
|
|
|
|
>20 |
<20 |
20 |
| NTE322 |
NTE |
RF,PA |
Si. |
VCES=65 |
3 |
500 |
10W |
150 |
10 |
50 |
10/ / |
10 |
100 |
12 |
|
|
40 |
|
|
| 2SC2238B 東京芝浦電気 |
 |
オーディオアンプのドライバ用シリコントランジスタで1978年頃の開発です。耐電圧により、無印、A、Bと改善されていきました。
2SA968とコンプリメンタリです。
同一特性で外形がTO-66の2SC2239/2SA969がありますが、少なくとも1983年にはカタログ落ちしています。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2238 O
2SC2238 Y
|
東芝 |
RF,PA |
Si.E
PCT |
160 |
160 |
5 |
1.5A |
25W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
|
|
/100/ |
/25/ |
|
TO-220AB
SC-46
210A1A
268 |
2SC2238A O
2SC2238A Y
|
東芝 |
RF,PA |
Si.E
PCT |
180 |
180 |
5 |
1.5A |
25W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
|
|
/100/ |
/25/ |
|
2SC2238B O
2SC2238B Y
|
東芝 |
RF,PA |
Si.E
PCT |
200 |
200 |
5 |
1.5A |
25W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
|
|
/100/ |
/25/ |
|
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| 2SC2331 日本電気 NEC |
  |
高速度スイッチング用として開発され、スイッチングレギュレータや高周波電力増幅器のドライバ用に適するとのことです。シリコントランジスタで1978年の開発です。
2SA1008とコンプリメンタリです。
ton<0.5μS tf<0.5μS tstg<1.5μS (IC=1.0A, RL=50Ω, IB1=0.1A, VCC≒50V) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2331 M
2SC2331 L
2SC2331 K
1997.7 |
NEC |
SW,
RF PA |
Si.E |
150 |
100 |
7.0 |
2.0A |
1.5W
25W |
150 |
1 |
160 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200 |
5 |
1A |
10 |
0.1A |
/100/ |
/35/ |
|
TO-220AB
SC-46
268 |
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| 2SC2353 日本電気 / NEC |
 |
2SC2353はVHF/UHF帯ミキサー用のシリコントランジスタで1979年頃の開発です。メーカー出荷時は左の画像のようにテーピングされていました。
一番長いリード線がコレクタ、左右がベース、コレクタの反対側がエミッタです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(GHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
|
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SC2353 L
2SC2353 K |
NEC |
UHF MIX |
Si.E |
30 |
14 |
3.0 |
50 |
200 |
125 |
0.1 |
15 |
60/ /120
90/ /180 |
10 |
5 |
10 |
0 |
1.5/ /2.3/ |
/0.85/1.0 |
|
210A |
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| 2SC2383 東京芝浦電気 |
 |
2SC2383はラインオペレートTVの垂直偏向出力用や低周波B級プッシュプル出力用のシリコントランジスタで1979年頃の開発です。
2SA1013とコンプリメンタリです。
高耐圧で使い勝手が良いのか、長期間生産されたようです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
|
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SC2383 R
2SC2383 O
2SC2383 Y
1999.9.30
2000.1.26
2001.5.24
2009.12.21 |
東芝 |
AF PA
TV Vout |
Si.E
PCT |
160 |
160 |
6 |
1A |
900 |
150 |
1.0 |
150 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
5 |
200 |
5 |
200 |
20/100/ |
/ /20 |
|
TO-92MOD
2-5J1A |
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| 2SC2458 東京芝浦電気 |
 |
 |
 |
2SC2458は低周波増幅用、中波帯増幅用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。2SA1048とコンプリメンタリです。
2SC2458 は低周波低雑音増幅用で、2SA1048とコンプリメンタリです。
形式番号は、無印の2SC2458(1997.4.10)(2007.11.1)、低雑音用の2SC2458(1996.9.2)、2SC2458(L)(2003.3.27)というように割り当てられています。
NF VCE＝6V、IC=0.1mA、f=1kHz、RG=10kΩ
無印 /1/10 dB
(L) /0.2/3 dB |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
2SC2458 O
2SC2458 Y
2SC2458 GR
2SC2458 BL
1997.4.10/2007.11.1 |
東芝 |
AF
PCT |
Si.E
PCT |
50 |
50 |
5 |
150 |
200 |
125 |
0.1 |
50 |
70/ /140
120/ /240
200/ /400
350/ /700 |
6 |
2 |
10 |
1 |
80/ / |
/2.0/3.5 |
|
TO-92
2-4E1A
287 |
2SC2458 O
2SC2458 Y
2SC2458 GR
2SC2458 BL
1996.9.2/2003.3.27 |
東芝 |
AF
PCT |
Si.E
PCT |
50 |
50 |
5 |
150 |
200 |
125 |
0.1 |
50 |
70/ /140
120/ /240
200/ /400
350/ /700 |
6 |
2 |
10 |
1 |
80/ / |
/2.0/3.5 |
|
TO-92
2-4E1A
287 |
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2SC2517
日本電気 NEC
|
 |
高速度スイッチング用の工業用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。
ton<0.5μS tf<0.5μS tstg<2.5μS (IC=3.0A, RL=17Ω, IB1=0.3A, VCC≒50V) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2517 M
2SC2517 L
2SC2517 K |
NEC |
PA |
Si.EP |
150 |
100 |
12 |
5A |
1.5W
30W |
150 |
10 |
100 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200 |
5 |
2.0A |
10 |
-50 |
|
|
|
SC-46
TO-220AB
268 |
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| 2SC2527 富士通 |
 |
 |
高速度スイッチング用、オーディオ出力用の工業用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。2SA1077とコンプリメンタリです。
スイッチング特性 RL=4Ω、IC=7.5A、IB1＝-IB2＝0.6A
tr： /0.3/
tstg： /1.3/
tf： /0.2/ |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
| 2SC2527 |
富士通 |
HS SW |
Si.EP
RET |
120 |
120 |
7 |
10A |
60W |
150 |
50 |
120 |
60/110/200 |
5 |
1A |
10 |
1A |
40/80/ |
/180/300 |
|
TO-220
268 |
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| 2SC2591 松下電器産業 |
 |
低周波電力増幅用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。2SA1111とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure
|
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF)
|
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2591 Q
2SC2591 R
2SC2591 S |
松下 |
AF PA |
Si.EP |
150 |
150 |
5.0 |
1A |
20W |
150 |
100 |
150 |
90/ /155
130/ /220
185/ /330 |
10 |
150 |
10 |
-50 |
/200/ |
/20/30 |
|
SC-46
TO-220AB
268 |
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| 2SC2654
日本電気 |
 |
低周波電力増幅用、中速度スイッチング用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。パッケージの割に最大コレクタ電流が大きいです。2SA1129とコンプリメンタリです。
何故か、レーザー印字が薄く、撮影画像では文字が写せません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF)
|
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2654 M
2SC2654 L
2SC2654 K
2SC2654 J
1983.9.20 |
NEC |
AF PA
SW |
Si.E |
100 |
40 |
7.0 |
7A |
1.5W
40W |
150 |
10 |
40 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
1 |
3A |
|
|
|
|
|
SC-46
TO-220AB
268 |
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| 2SC2655 東京芝浦電気 |
 |
低周波電力増幅用、スイッチング用シリコントランジスタで1979年頃の開発です。2SA1020とコンプリメンタリです。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF)
|
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2655 O
2SC2655 Y
2004.7.8 |
東芝 |
AF PA
SW |
Si.E
PCT |
50 |
50 |
5.0 |
2A |
900 |
150 |
1.0 |
50 |
70/ /140
120/ /240 |
1 |
3A |
-2 |
0.5A |
/100/ |
/30/ |
|
TO-92MOD
2-5J1A
241 |
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| 2SC2690A 日本電気 |
 |
 |
50〜100W出力オーディオアンプのドライバ用やカラーTVの垂直偏向ドライブ用シリコントランジスタで1980年頃の開発です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2690 R
2SC2690 Q
2SC2690 P |
NEC |
RF PA,
AF PA |
Si.E |
120 |
120 |
5.0 |
1.2A |
1.2W
20W |
150 |
1 |
120 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
5 |
300 |
5 |
200 |
/175/ |
/26/ |
|
TO-126
MP-5 |
2SC2690A R
2SC2690A Q
2SC2690A P |
NEC |
RF PA,
AF PA |
Si.E |
160 |
160 |
5.0 |
1.2A |
1.2W
20W |
150 |
1 |
120 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
5 |
300 |
|
|
/175/ |
/26/ |
|
TO-126
MP-5 |
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| 2SC2725 三菱電機 |
 |
低周波低雑音増幅、差動増幅1980年頃開発のトランジスタです。端子は、左からB1,C1,E1,NC,E2,C2,B2です。
1983年11月のデータブックにはもう記載されていません。短命であったのか、量産できるまでに時間を要したのかもしれません。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz)
|
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SC2725 |
三菱 |
AF,Diff |
Si.E |
100 |
100 |
5.0 |
100 |
200/unit |
125 |
0.1 |
100 |
600 |
6 |
1 |
6 |
-1 |
100 |
2.5 |
|
283 |
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| 2SC2749 日本電気 NEC |
 |
 |
 |
1980年頃開発の高速度大電流スイッチング用、工業用です。形式番号のレーザー刻印が画像として写しにくいです。
リード線のピッチは5.49mmです。よって、B-Eリード線のピッチは10.98mmとなります。このような寸法なので、TO-3タイプのトランジスタの代用に使用することができます。電子機器メーカーでは保守用として良くとられていた方法です。
ton 1.0μs max
tstg 2.5μs max
tr 0.7μs max
IC=6.0A IB=1.2A Vcc=150V RL=25Ω
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2749 N
2SC2749 M
2SC2749 L
2SC2749 K |
NEC |
SW |
Si.TDiff |
500 |
400 |
7.0 |
10A |
100W |
150 |
100 |
400 |
15/ /30
20/ /40
30/ /60
40/ /80 |
5.0 |
1.0A |
|
|
|
|
|
MP-80
162 |
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| 2SC2785 日本電気 |
 |
 |
低周波増幅、低速スイッチング用のシリコントランジスタで1980年頃の開発です。2SA1175とコンプリメンタリで、比較的hFEが大きいです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2785 RF
2SC2785 JF
2SC2785 HF
2SC2785 FF
2SC2785 EF
2SC2785 KF |
NEC |
AF.
low speed SW |
Si.E |
60 |
50 |
5.0 |
100 |
250 |
150 |
0.1 |
60 |
110/ /180
135/ /220
170/ /270
200/ /320
250/ /400
300/ /600 |
6.0 |
1.0 |
6.0 |
-10 |
150/250/450 |
/3.0/4.0 |
|
42 |
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| 2SC2786 日本電気 NEC |
 |
FM帯用のシリコントランジスタで1980年頃の開発です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2786 M
2SC2786 L
2SC2786 K
1982.5 |
NEC |
FM RF
Mix
Conv
OSC |
Si.E |
30 |
20 |
4.0 |
20 |
250 |
150 |
0.1 |
30 |
40/ /80
60/ /120
90/ /180 |
6.0 |
1.0 |
6.0 |
-10 |
400/600/ |
/1.0/1.3 |
/12/15 |
42 |
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| 2SC2952 日本電気 NEC |
 |
高周波広帯域増幅用のシリコントランジスタで1982年頃の開発です。 1987年のデータブックには記載されなくなっており、短命のトランジスタです。
4pinのケースでいかにも高周波用です。
500MHzで10dB程度の順方向利得が得られます。
hFEの区分は公開されていませんが、現品表示にはLの文字が見えます。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=75℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2952
1983.10.25 |
NEC |
RF PA |
Si.E |
30 |
20 |
3 |
250 |
5W |
200 |
10 |
20 |
30/80/200 |
10 |
80 |
6.0 |
-10 |
|
/1.8/2.5 |
|
TC-5
TB-14B
TO-205MD
TO-33
C4,B6A |
［このページのトップに戻る］
| 2SC2983 東京芝浦電気 |
 |
1982年頃開発のドライブ用または出力用のシリコントランジスタです。外形にはリード線が3本ストレートに伸びた2-7B1Aと左の画像の外形の2-7J1Aがあります。
2SA1225とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SC2983 O
2SC2983 Y |
東芝 |
AF PA |
Si.E
PCT |
160 |
160 |
5.0 |
1.5A |
1.0W
15W |
150 |
1 |
160 |
70/ /140
120/ /240 |
5 |
100 |
10 |
100 |
/100/ |
/25/ |
|
2-7B1A
2-7J1A
|
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
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|
