１　はじめに
　2SDタイプのトランジスタは1,700種以上開発されています。(2021年1月現在)　手元のトランジスタをご紹介します。各数値は、原則としてメーカー発表の一次資料を基本としています。
　このページでは11-999番のものとしました。1000番台、2000番台もどうぞ。
２　2SDタイプ

2SD24Y 　三洋電機
1960年代初期開発の三洋電機製トランジスタです。低周波高耐圧増幅用です。ラインオペレートのテレビ音声出力段によく使用されていました。2SD24は工業用です。構造がMeからTMeになり、2SD24Yとなりました。
型名 Type	社名 Mnf.	用途 Appli- cation	構造 Material and structure	最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=70℃)						電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)										外形 Package No.
				VCBO (V)	*VCER (V) (ＲＢＥ＝ 2.7kΩ)	VEBO (V)	IC (mA)	PC (mW)	Tj (℃)	ICBO最大値		直流又はパルスhFE			バイアス		fT (MHz)	Cob (pF)	rbb(Ω)* CCrbb' (pS)
										(μA)	VCB (V)	最小/標準/最大 min/typ/max	VCE (V)	IC (mA)	VCB (V)	IE (mA)
2SD24	三洋電機	AF.PA	Si.Me	300	*300	2	100	6W	150	1.5	100	20/60/200	10	50	30	20	/25/	17		TO-66 99
2SD24	三洋電機	AF.PA	Si.Me	300	*300	4	100	4W	110	1.0	100	/60/	10	50	30	20	/25/	17
2SD24Y	三洋電機	AF.PA	Si.TMe	300	*300	4	150	6.5W	150	1.5	100	30/60/250	10	50	30	20	/8/	12
2SD24Y	三洋電機	AF.PA	Si.TMe	300	*300	4	150	6.5W	150	1.0	100	30/60/250	10	50	30	20	/8/	12

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2SD28、2SD29　SONY

1960年代初期開発のSONY製トランジスタです。低周波やスイッチングによく使用されていました。2SD28と2SD29の定格は同じですが、差が何であるかがわかりません。 　CQ出版社のトランジスタ規格表とSONY資料とでは数値が異なるところがあります。下表でPCが23WのものがSONYの数値です。 　付きは通信工業用です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=70℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD28

SONY

PA

Si.DJ

70

40

3A

23W

150

20

30

/100/

1

100

100

2SD28

SONY

PA

Si.DJ

70

3A

18W

150

20

30

/100/

1

100

100

2SD29

SONY

PA

Si.DJ

70

40

3A

23W

150

20

30

/100/

1

100

100

2SD29

SONY

PA

Si.DJ

70

3A

18W

150

20

30

/100/

1

100

100

2SD29

SONY

AF PA,SW

Si.DJ

70

40

3A

23W

150

20

30

/100/

1

100

100

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2SD47 　SONY

1960年代のSONY製トランジスタです。低周波増幅用です。2SC41を製造したときに周波数特性の悪いものを選別して2SD47としたようです。ケースはアルミ合金で軽いです。1964年10月頃の価格は、2SD47-A、2SD47-B、2SD47-Cの順に、1500円、1700円、1900円でした。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD47-A 2SD47-B 2SD47-C

SONY

AF.PA

Si.Me

100

50

6

5A

50W

150

5mA

15

12/ /32 24/40/64 48/ /128

10

1A

102 TO-3

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2SD65　 SONY

1960年のSONY製トランジスタで、低周波増幅用です。SONY製のラジオによく使用されていました。 外形は古典的です。この外形は18です。外形58は後期で単純な円柱状です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD65

SONY

AF.

Ge.A

25

100

120

75

15

25

50

1

10

6

-1

0.8

35

18 58

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2SD68C　 三洋電機

1960年代のトランジスタで、低周波電力増幅用です。このころの技術では、ICBO最大値が大きくならざるを得なかったようです。下表で黒文字は三洋電機のハンドブックからの転載、赤文字はCQ出版社トランジスタ規格表からの転載です。 CQ出版社の規格表ではfTが100MHzと高いですが誤記のようです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V) RBE=100Ω

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IC (A)

2SD68

三洋

AF.PA

Si.TMe

75

75

5

5A

50W

150

10mA 5mA

60

15/50/ /80/

5

1A

10

0.5

/40/ /100/

350

102

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2SD69 　SONY

1960年代のSONY製トランジスタです。低周波電力増幅用です。SONY製のオーディオアンプによく使用されていました。画像のようにロットによってリード線のガラス封入部の大きさが違うものがあります。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD69

SONY

AF.PA

Si.TMe

140

140

3A

50W

150

100

50

/150/

3

100

102

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2SD73　2SD74　　日本電気　NEC

2SD73と2SD74は工業用及び通信用で、製造時期によってE及びBリード線引き出し部の構造が異なっています。1960年頃2SD73と2SD74が開発され、1969年頃コンプリメンタリーの2SB506が開発されています。コンプリメンタリー指定が1対1の関係ではないのは珍しいです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD73

NEC

AF.PA.SW

Si.E.Mesa

100

60

5.0

5A

60W

175

5mA

100

25/70/140

10

1A

10

0.3A

/20/

102

2SD74

NEC

AF.PA.SW

Si.E.Mesa

150

90

5.0

5A

60W

175

5mA

150

25/70/140

10

1A

10

0.3A

/20/

102

2SB506

NEC

AF.PA.SW

Si.E.Mesa

-150

-100

-7.0

-5A

60W

175

-2mA

-100

35/70/200

-10

-1A

-10

-0.3A

/10/

102

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2SD75 　日立製作所

2SB75とコンプリメンタリーです。1968年時点で早くも廃止予定となっていました。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD75

日立

AF.LSW.

Ge.A

25

25

12

100

150

85

14

25

/40/

6

1

6

-1

*4

12A

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2SD88 　SONY

準コンプリメンタリオーディオ出力用によく使用されたNPNトランジスタです。 画像は、通信工業用のタイプです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD88

SONY

AF.PA

Si.TMe

100

55

12

5A

80W

150

100

50

/80/

3

2A

102

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2SD92 　サンケン

白黒テレビの垂直偏向出力や安定化電源に使用されました。製造後、耐圧別に形式番号を割り当てたようです。 2SD90のように低電圧でも漏れ電流が大きいと使用する気がしません。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fab (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD90

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

30

20

6

3A

20W

150

200

20

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

100 TC-9,TB-12

2SD91

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

60

40

6

3A

20W

150

50

40

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

2SD92

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

100

55

6

3A

20W

150

30

50

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

2SD93

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

150

70

6

3A

20W

150

30

50

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

2SD94

サンケン

PA.SW.

Si.DJ

200

80

6

3A

20W

150

30

50

20/40/

4

1A

10

-200

1.5/3.5/

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2SD121 　日立製作所

1961年頃開発のトランジスタです。コレクタはケースに接続されています。スイッチング速度特性は、ton=0.75μS、tf=0.6μS、tstg=4.1μSです。 よく電卓に使用されていました。は「日立通信工業用品種」を示します。2SD121にはなしタイプはありません。はhFEの区分です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fαb (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD121 2SD121

日立

SW.

Si.DJ

100

55

12

1.5A

1.0W 4W

175

10

30

15/ /40 35/ /100

4

200

12

-50

0.8/1.9/

84B TC-5、TB-5B

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2SD235　東京芝浦電気

1970年頃開発のトランジスタです。2SB435とコンプリメンタリです。安価で大量に出回っていたため、よく使用しました。付きは工業用です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD235 R 2SD235 O 2SD235 Y

東芝

AF PA

Si.DJ

50

40

10

3A

1.5W 25W

150

100

20

40/ /80 70/ /140 120/ /240

5

500

5

-500

/1/

250

TO-220AB SC-45 2-10

2SD235 R 2SD235 O 2SD235 Y

東芝

AF PA

Si.DJ

50

40

10

3A

1.5W 25W

150

100

40

40/ /80 70/ /140 120/ /240

5

500

10

-500

/1/

250

TO-220AB SC-45 2-10

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2SD261 　日本電気　NEC

1970年頃開発のトランジスタです。2SA643とコンプリメンタリです。 TO-92タイプの外囲器にアルミ板を巻き付けた構造とし、許容コレクタ損失を確保しています。 hFEの細別区分は6段階でかなり多いです。 2SD261の規格表はインターネット上にはほとんどありません。探さなくとも済むよう、こちらに置いておきます。

型名 Type

社名 Mnf.

用途Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCB (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD261 S 2SD261 W 2SD261 R 2SD261 V 2SD261 Q 2SD261 P

NEC

AF PA

Si.E

40

20

5

500

500

125

0.2

25

60/ /95 80/ /120 100/ /150 125/ /190 150/ /230 185/ /285

1.0

100

6

-10

/120/

44

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2SD291、2SD292　SONY

CQ出版社の規格表では、2SD290のICBO最大値については、転記ミスをしたようです。数値的には最大定格と矛盾しています。 コレクタ損失はSONY資料により修正しました。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SD290

SONY

LF PA.

Si.TMe

80

80

5A

23W 10W

120

100

150

/100/

3

2A

153 TC-9,TB-12

2SD291

SONY

RF. LF PA.

Si.DJ

70

40

10

3A

18W

150

20

30

/100/

1

100

10

-500

/4/

250

153 TC-9,TB-12

2SD292

SONY

LF PA.

Si.DJ

70

55

10

3A

23W 18W

150

20

30

/100/

1

100

10

-500

/4/

250

153 TC-9,TB-12

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2SD330　三洋電機

三洋電機の低周波電力増幅用トランジスタです。2SB514とコンプリメンタリです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD330 C 2SD330 D 2SD330 E 2SD330 F

三洋

AF.PA

Si.TDiffP

50

50

5

2A

1.75W 20W

150

100

20

40/ /80 60/ /120 100/ /200 160/ /320

2

1A

5

0.5A

/8/

TO-220 SC-46 2010B 268

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2SD384　新電元

新電元の低周波電力増幅用ダーリントントランジスタです。 ハウスナンバーはT7D8です。 プリンターのハンマードライブ、パルスモーター、ソレノイド、ランプドライブ、電源、低速スイッチング用を意図して製造されているとのことです。 このトランジスタの特徴は、小さなパッケージであるにもかかわらず、最大コレクタ電流が7Aと大きいことです。また、驚くほど応答周波数が低いことです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fae (kHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD384

新電元

AF.PA

Si.DJ

80

80

4

7A

30W

150

500

80

1500/5000/15000

5

5A

10

1A

/20/

TB-23 TC-9A 204

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2SD401，2SD401A　　　NEC

1974年頃開発された、NECの14-20インチカラーテレビ垂直偏向用トランジスタです。それぞれ、2SB546、2SB546Aとコンプリメンタリーです。 　すぐに、2SD401Aが開発されたようで、1976年には2SD401の規格はデータブックから消えてしまっています。放熱面金属部分の形状は特徴的です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD401 M 2SD401 L 2SD401 K

NEC

AF.PA

Si.TD

150

150

5.0

2A

25W

150

50

150

40/ /80 60/ /120 100/ /200

10

400

10

0.4A

/7/

SC46 TO-220AB 268

2SD401A M 2SD401A L 2SD401A K (1976)

NEC

AF.PA

Si.TD

200

150

5.0

2A

25W

150

50

150

40/ /80 60/90/120 100/ /200

10

400

10

0.4A

/5/

45

SC46 TO-220AB 268

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2SD535　日本電気

日本電気のシリーズ制御電源用トランジスタです。このトランジスタは、大電流になるとhFEが急減する特性であり、過大電流が流れにくく、耐破壊性に優れているとのことです。 比較的短命のトランジスタですが、大陸製の偽物があります。偽物は本家よりもhFEの直線性が良いことをアピールしていますが、本来の設計思想自体を理解していません。詳細データシートはインターネット上にはありませんでした。上記hFEのグラフは本家のデータブックからです。ICが約7(A)を越えるとhFEが急減しています。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD535

NEC

LF.PA

Si.TMe

250

120

10

12A

150W

150

100

120

40/75/200 15/30/

5 5

2.0A 7.0A

TO-3 TC-3,TB-3 C14A,B18

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2SD636,2SD637,2SD638　松下電器　Panasonic
									これらのトランジスタは、1977年頃の開発で、汎用の小出力用です。M型パッケージとしたことで、プリント配線板への自動挿入、手挿入が容易、自立固定ができることが特徴とのことです。同時期に他社でも同様のパッケージのトランジスタが製造されていました。 2SD638と2SB643、2SD639と2SB644がコンプリメンタリ設定です。
型名 Type	社名 Mnf.	用途 Appli- cation	構造 Material and structure	最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃)						電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)										外形 Package No.
				VCBO (V)	VCEO (V)	VEBO (V)	IC (mA)	PC (mW)	Tj (℃)	ICBO最大値		直流又はパルスhFE			バイアス		fT (MHz)	Cob (pF)	rbb(Ω)* CCrbb' (pS)
										(μA)	VCB (V)	最小/標準/最大 min/typ/max	VCE (V)	IC (mA)	VCE (V)	IE (mA)
2SD636 Q 2SD636 R 2SD636 S	松下	PA	Si.EP	30	25	7	100	400	150	1	20	160/ /260 210/ /340 290/ /460	10	2	5	-2	150	3.5		151,SC-71,M
2SD637 Q 2SD637 R 2SD637 S	松下	PA	Si.EP	60	50	7	100	400	150	1	20	160/ /260 210/ /340 290/ /460	10	2	5	-2	150	3.5		151,SC-71,M
2SD638 Q 2SD638 R 2SD638 S	松下	PA	Si.EP	30	25	7	500	600	150	0.1	20	85/ /170 120/ /240 170/ /340	10	150	5	-2	200	/6/15		151,SC-71,M
2SD639 Q 2SD639 R 2SD639 S	松下	PA	Si.EP	60	50	7	500	600	150	0.1	20	85/ /170 120/ /240 170/ /340	10	150	5	-2	200	/6/15		151,SC-71,M

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2SD640 　　東芝

1977年頃の開発です。高電圧スイッチング用、大電力増幅用です。 スイッチング特性 ton　1.0μs　typ tstg　3.0μs　typ tr　　0.6μs　typ IC=3.0A　IB=0.3A

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD640

東芝

PA

Si.EP

600

400

5

7A

100W

150

100

500

25/ /140

5

1A

10

0.5A

/3/

/70/

TO-204MA,TO-3,TC-3 TB-3,102,2-21E1A

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2SD669A　日立製作所

高耐圧のオーディオ用トランジスタです。終段用ドライバーとしてよく使用されていました。ICは、最大100mA程度までで使用するのが良いようです。2SD669と2SD669Aは、それぞれ2SB649と2SB649Aのコンプリメンタリです。 　このトランジスタは、大陸製の偽物が大量にあります。インターネット上で検索すると9割がたは偽物や互換品と思われるものがヒットします。本物と偽物は下記のような差があります。カッコ内は偽物の事例です。まず、本物のレジンモールドの色は灰色(黒)で、上部左右と下部中央に浅い窪み(窪みの位置が異なったり、深い窪みや窪み内に刻印)があります。正しい日立のマーク(立の字の縦の棒がない。立の字が非対称)やhFEのアルファベットが形式番号の次の行右端で丸囲み(丸囲みではない。または形式番号と同じ行。)。形式番号は横書き(縦書き)です。裏の金属部分が八角形(八角形でなかったり、一部が欠けている。)。真中のリード線の根元が少し太い(同じ太さ)。 　左の画像は本物です。リード線をフォーミングしていますが、新品ではストレートです。 It was often used as a final stage driver. A collector current of up to 100mA seems to be good. The 2SD669 and 2SD669A are complementary to the 2SB649 and 2SB649A respectively. There are a lot of fakes of this transistor made in Southeast Asia. When I search on the internet, more than 90% of the hits seem to be fake.The difference between genuine and fake is as follows. Cases in parentheses are fakes. First of all, the color of the genuine resin mold is gray (black). There are shallow dents (positions of dents are different, deep dents and engravings in dents) on the upper left and right and lower center (other than). The corect Hitachi mark (there is no vertical bar in the standing character. The mark is asymmetrical.) and the hFE alphabet are circled at the right end of the line next to the model number (not circled, or on the same line as the model number.). Type number D669A are written horizontally (vertically). The metal part on the back is octagonal (quadrangular and partly missing). The base of the central lead wire is slightly thicker (same thickness). The image on the left is genuine.

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD669 2SD669 2SD669

日立

AF.PA

Si.E

180

120

5

1.5A

1W 20W

150

10

160

60/ /120 100/ /200 160/ /320

5

150

5

150

/140/

14

TO-126 160

2SD669A 2SD669A

日立

AF.PA

Si.E

180

160

5

1.5A

1W 20W

150

10

160

60/ /120 100/ /200

5

150

5

150

/140/

14

TO-126 160

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2SD711，2SD711A　富士電機

このトランジスタは、1970年代末期頃、高電圧、高速スイッチング用に開発されました。ダーリントンタイプのトランジスタです。 　内部の拡散抵抗の値は不明です。 スイッチング特性　 ton(μs) tstg(μs) tf(μs) 条件 2SD711 / /3.0 / /15.0 / /10.0 IC=15A、IB1＝-IB2＝0.15A、RL=5Ω、PW=50μs、Duty≦2% 2SD711A / /2.0 / /15.0 / /5.0 IC=15A、IB1＝-IB2＝0.30A、RL=20Ω、PW=20μs

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VCEO (SUS) (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

VCB最小値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

ICBO (μA)

(V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD711

富士電機

HV SW HS SW

Si.TDiff Planer

500

500

350 /IC=0.5A

6

15A

100W

150

1mA

500

100/ /

1.5

15A

TO-3 TC-3,TB-3

2SD711A

富士電機

HV SW HS SW

Si.TDiff Planer

600

600

450 /IC=1A

6

15A

100W

150

1mA

600

50/ /

1.5

15A

TO-3 TC-3,TB-3

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2SD777　東京芝浦電気

このトランジスタはラインオペレートのテレビ電源回路専用に1970年代後半頃開発されました。使用に当たっては、整流回路からの+電圧をコレクタに、負荷回路をエミッタ側に接続します。負荷回路に供給する電圧はラインオペレートですので、定格で最大140V程度です。電源スイッチ投入直後で負荷電圧が0Vのときは、トランジスタのC-E間に最大電圧が印加され、B-C間に接続されている内蔵ツェナーダイオードによりコレクタ側からベース電流が供給され、負荷電圧が急速に立ち上がり始めます。そして、負荷電圧が100V程度に達すると、内蔵ツェナーダイオードは導通しなくなり、ベースに接続されている電源電圧調整回路からのベース電流のみで制御されるようになります。内蔵抵抗の2Ωは立ち上がり時の最大電流を制限するためのものです。 　このように、特定電圧、特定回路での使用を目的としたトランジスタは大変珍しいです。前述の用途以外では、内部抵抗が大きく損失が大きい、C-E間にVz以上の電圧をかけられないなど、大変使いにくく汎用性のないトランジスタです。 　パワートランジスタであるにもかかわらず、なぜかhFEは大きいです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD777

東芝

Reg.

Si.DJ

55±10

55±10

6

4A

100W

150

500/1000/2500

5

500

5

-500

TO-3 TC-3,TB-3 2-21A1A

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2SD809　日本電気　NEC

モータドライブ、 ランプドライブ、リレードライブ、安定化電源等のスイッチング用途に適するとのことです。 　このトランジスタは2SB731とコンプリメンタリ

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD809 L 2SD809 K 2SD809 F 2SD809 E

NEC

AF.PA. LowSpeed SW

Si.E.

100

50

6.0

1.0A

1.0W 10W

150

0.1

50

135/ /270 200/ /400 300/ /480 360/ /600

2.0

0.1

2.0

10

85

15

225

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2SD867　東京芝浦電気

東芝の大電力用シリコントランジスタです。 　コレクタ電流を10Aも流すと、hFEは最大値の1/3程度に減少します。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Appli- cation

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (℃)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SD867 O 2SD867 Y

東芝

PA,SW,Reg. DC-DC Conv.

Si.TD

130

110

7

10A

100W

175

100

130

50/ /120 100/ /200

5

1A

5

1A

/1.5/

/200/

TO-3, TO-204MA TC-3,TB-3 2-21D1A

3　おわりに
　保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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