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| 2024.12. 1 |
Ver. 2.14 |
2SD799を追加、2SD669Aに追記 |
| 2024. 9. 8 |
Ver. 2.13 |
2SD683を追加、2SD68にコメント追記 |
| 2023.11. 5 |
Ver. 2.12 |
2SD711Aを追加、2SD777に情報追加 |
| 2023. 9.10 |
Ver. 2.11 |
2SD640を追加 |
| 2023. 2. 5 |
Ver. 2.10 |
2SD535にコメントを追加 |
| 2023. 1. 9 |
Ver. 2. 9 |
2SD867を追加 |
| 2022.12.25 |
Ver. 2. 8 |
2SD401、2SD401Aを追加 |
| 2022.12.18 |
Ver. 2. 7 |
2SD384を追加 |
| 2022. 9.19 |
Ver. 2. 6 |
2SD669Aに英文追加、画像差し替え |
| 2022. 8.12 |
Ver. 2. 5 |
2SD330を追加 |
| 2022. 6.12 |
Ver. 2. 4 |
2SD261を追加 |
| 2022. 5. 8 |
Ver. 2. 3 |
1000番台及び2000番台のリンクを追加 |
| 2022. 2.13 |
Ver. 2. 2 |
2SD28、2SD29を追加 |
| 2022. 1. 1 |
Ver. 2. 1 |
2SD809を追加、2SD1000以降を分離 |
| 2021.12.12 |
Ver. 1.10 |
2SD636、2SD637、2SD638を追加 |
| 2021. 8. 8 |
Ver. 1. 9 |
2SD669Aを追加 |
| 2021. 7.11 |
Ver. 1. 8 |
2SD65にコメント追加 |
| 2021. 6.28 |
Ver. 1. 7 |
2SD535を追加 |
| 2021. 6. 1 |
Ver. 1. 6 |
2SD73、2SD74、2SD2061を追加 |
| 2021. 5.24 |
Ver. 1. 5 |
2SD68、2SD777、2SD1590、2SD1629を追加 |
| 2021. 5.10 |
Ver. 1. 4 |
2SD121、2SD235を追加 |
| 2021. 5. 1 |
Ver. 1. 3 |
2SD88、2SD92、2SD291、2SD292を追加 |
| 2021. 4.26 |
Ver. 1. 2 |
2SD24Yを追加 |
| 2021. 4.17 |
Ver. 1. 1 |
2SD47を追加 |
| 2021. 1.11 |
Ver. 1. 0 |
公開初版 |
１ はじめに
2SDタイプのトランジスタは1,700種以上開発されています。(2021年1月現在) 手元のトランジスタをご紹介します。各数値は、原則としてメーカー発表の一次資料を基本としています。
このページでは11-999番のものとしました。1000番台、2000番台もどうぞ。
２ 2SDタイプ
| 2SD24Y 三洋電機 |
  |
1960年代初期開発の三洋電機製トランジスタです。低周波高耐圧増幅用です。ラインオペレートのテレビ音声出力段によく使用されていました。2SD24 は工業用です。構造がMeからTMeになり、2SD24Yとなりました。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=70℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
*VCER (V)
(ＲBE＝
2.7kΩ)
|
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD24 |
三洋電機 |
AF.PA |
Si.Me |
300 |
*300 |
2 |
100 |
6W |
150 |
1.5 |
100 |
20/60/200 |
10 |
50 |
30 |
20 |
/25/ |
17 |
|
TO-66
99 |
| 2SD24 |
三洋電機 |
AF.PA |
Si.Me |
300 |
*300 |
4 |
100 |
4W |
110 |
1.0 |
100 |
/60/ |
10 |
50 |
30 |
20 |
/25/ |
17 |
|
| 2SD24Y |
三洋電機 |
AF.PA |
Si.TMe |
300 |
*300 |
4 |
150 |
6.5W |
150 |
1.5 |
100 |
30/60/250 |
10 |
50 |
30 |
20 |
/8/ |
12 |
|
| 2SD24Y |
三洋電機 |
AF.PA |
Si.TMe |
300 |
*300 |
4 |
150 |
6.5W |
150 |
1.0 |
100 |
30/60/250 |
10 |
50 |
30 |
20 |
/8/ |
12 |
|
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| 2SD28、2SD29 SONY |
  |
1960年代初期開発のSONY製トランジスタです。低周波やスイッチングによく使用されていました。2SD28と2SD29の定格は同じですが、差が何であるかがわかりません。
CQ出版社のトランジスタ規格表とSONY資料とでは数値が異なるところがあります。下表でPCが23WのものがSONYの数値です。
付きは通信工業用です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings
(Ta=25℃,Tc=70℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD28 |
SONY |
PA |
Si.DJ |
70 |
40 |
|
3A |
23W |
150 |
20 |
30 |
/100/ |
1 |
100 |
|
|
|
|
|
100 |
| 2SD28 |
SONY |
PA |
Si.DJ |
70 |
|
|
3A |
18W |
150 |
20 |
30 |
/100/ |
1 |
100 |
|
|
|
|
|
100 |
| 2SD29 |
SONY |
PA |
Si.DJ |
70 |
40 |
|
3A |
23W |
150 |
20 |
30 |
/100/ |
1 |
100 |
|
|
|
|
|
100 |
| 2SD29 |
SONY |
PA |
Si.DJ |
70 |
|
|
3A |
18W |
150 |
20 |
30 |
/100/ |
1 |
100 |
|
|
|
|
|
100 |
| 2SD29 |
SONY |
AF PA,SW |
Si.DJ |
70 |
40 |
|
3A |
23W |
150 |
20 |
30 |
/100/ |
1 |
100 |
|
|
|
|
|
100 |
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| 2SD47 SONY |
   
  |
| 1960年代のSONY製トランジスタです。低周波増幅用です。2SC41を製造したときに周波数特性の悪いものを選別して2SD47としたようです。ケースはアルミ合金で軽いです。1964年10月頃の価格は、2SD47-A、2SD47-B、2SD47-Cの順に、1500円、1700円、1900円でした。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SD47-A
2SD47-B
2SD47-C |
SONY |
AF.PA |
Si.Me |
100 |
50 |
6 |
5A |
50W |
150 |
5mA |
15 |
12/ /32
24/40/64
48/ /128 |
10 |
1A |
|
|
|
|
|
102
TO-3 |
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| 2SD65 SONY |
 |
1960年のSONY製トランジスタで、低周波増幅用です。SONY製のラジオによく使用されていました。
外形は古典的です。この外形は18です。外形58は後期で単純な円柱状です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD65 |
SONY |
AF. |
Ge.A |
25 |
|
|
100 |
120 |
75 |
15 |
25 |
50 |
1 |
10 |
6 |
-1 |
0.8 |
35 |
|
18
58 |
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| 2SD68 三洋電機 |
 |
 |
1960年代のトランジスタで、電力増幅用、TV水平偏向用です。このころの技術では、ICBO最大値が大きくならざるを得なかったようです。下表で黒文字は三洋電機のハンドブックからの転載、赤文字はCQ出版社トランジスタ規格表からの転載です。CQ出版社の規格表ではfTが100MHzと高いですが誤記のようです。
2SD67、2SD68は製造してから選別したようです。
2SD68は改良型が登録されていません。左の画像で、型名の「Ｃ」はhFEの区分のようです。当時の区分によれば40-80となります。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCER
(V)
RBE=100Ω |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IC
(A) |
| 2SD67 |
三洋 |
PA
Hout |
Si.TMe |
120 |
120 |
5 |
5A |
50W |
150 |
10mA
5mA |
120 |
15/50/
/80/ |
5 |
1A |
10 |
0.5 |
/40/
/100/ |
/ /350 |
|
102 |
| 2SD68 |
三洋 |
PA
Hout |
Si.TMe |
75 |
75 |
5 |
5A |
50W |
150 |
10mA
5mA |
60 |
15/50/
/80/ |
5 |
1A |
10 |
0.5 |
/40/
/100/ |
/ /350 |
|
102 |
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| 2SD69 SONY |
 
  |
| 1960年代のSONY製トランジスタです。低周波電力増幅用です。SONY製のオーディオアンプによく使用されていました。画像のようにロットによってリード線のガラス封入部の大きさが違うものがあります。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD69 |
SONY |
AF.PA |
Si.TMe |
140 |
140 |
|
3A |
50W |
150 |
100 |
50 |
/150/ |
3 |
100 |
|
|
|
|
|
102 |
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| 2SD73 2SD74 日本電気 NEC |
 
  |
| 2SD73と2SD74は工業用及び通信用で、製造時期によってE及びBリード線引き出し部の構造が異なっています。1960年頃2SD73と2SD74が開発され、1969年頃コンプリメンタリーの2SB506が開発されています。コンプリメンタリー指定が1対1の関係ではないのは珍しいです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Application |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD73 |
NEC |
AF.PA.SW |
Si.E.Mesa |
100 |
60 |
5.0 |
5A |
60W |
175 |
5mA |
100 |
25/70/140 |
10 |
1A |
10 |
0.3A |
/20/ |
|
|
102 |
| 2SD74 |
NEC |
AF.PA.SW |
Si.E.Mesa |
150 |
90 |
5.0 |
5A |
60W |
175 |
5mA |
150 |
25/70/140 |
10 |
1A |
10 |
0.3A |
/20/ |
|
|
102 |
| 2SB506 |
NEC |
AF.PA.SW |
Si.E.Mesa |
-150 |
-100 |
-7.0 |
-5A |
60W |
175 |
-2mA |
-100 |
35/70/200 |
-10 |
-1A |
-10 |
-0.3A |
/10/ |
|
|
102 |
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| 2SD75 日立製作所 |
 |
2SB75とコンプリメンタリーです。1968年時点で早くも廃止予定となっていました。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD75 |
日立 |
AF.LSW. |
Ge.A |
25 |
25 |
12 |
100 |
150 |
85 |
14 |
25 |
/40/ |
6 |
1 |
6 |
-1 |
*4 |
|
|
12A |
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| 2SD88
SONY |
 |
 |
準コンプリメンタリオーディオ出力用によく使用されたNPNトランジスタです。
画像は、通信工業用のタイプです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
*fae
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD88 |
SONY |
AF.PA |
Si.TMe |
100 |
55 |
12 |
5A |
80W |
150 |
100 |
50 |
/80/ |
3 |
2A |
|
|
|
|
|
102 |
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| 2SD92 サンケン |
 |
 |
白黒テレビの垂直偏向出力や安定化電源に使用されました。製造後、耐圧別に形式番号を割り当てたようです。
2SD90のように低電圧でも漏れ電流が大きいと使用する気がしません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings
(Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCES
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fab
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD90 |
サンケン |
PA.SW. |
Si.DJ |
30 |
20 |
6 |
3A |
20W |
150 |
200 |
20 |
20/40/ |
4 |
1A |
10 |
-200 |
1.5/3.5/ |
|
|
100
TC-9,TB-12 |
| 2SD91 |
サンケン |
PA.SW. |
Si.DJ |
60 |
40 |
6 |
3A |
20W |
150 |
50 |
40 |
20/40/ |
4 |
1A |
10 |
-200 |
1.5/3.5/ |
|
|
| 2SD92 |
サンケン |
PA.SW. |
Si.DJ |
100 |
55 |
6 |
3A |
20W |
150 |
30 |
50 |
20/40/ |
4 |
1A |
10 |
-200 |
1.5/3.5/ |
|
|
| 2SD93 |
サンケン |
PA.SW. |
Si.DJ |
150 |
70 |
6 |
3A |
20W |
150 |
30 |
50 |
20/40/ |
4 |
1A |
10 |
-200 |
1.5/3.5/ |
|
|
| 2SD94 |
サンケン |
PA.SW. |
Si.DJ |
200 |
80 |
6 |
3A |
20W |
150 |
30 |
50 |
20/40/ |
4 |
1A |
10 |
-200 |
1.5/3.5/ |
|
|
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2SD121 日立製作所 |
 |
 |
 |
1961年頃開発のトランジスタです。コレクタはケースに接続されています。スイッチング速度特性は、ton=0.75μS、tf=0.6μS、tstg=4.1μSです。
よく電卓に使用されていました。は「日立通信工業用品種」を示します。2SD121にはなしタイプはありません。  はhFEの区分です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格
Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fαb
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
2SD121
2SD121 |
日立 |
SW. |
Si.DJ |
100 |
55 |
12 |
1.5A |
1.0W
4W |
175 |
10 |
30 |
15/ /40
35/ /100 |
4 |
200 |
12 |
-50 |
0.8/1.9/ |
|
|
84B
TC-5、TB-5B |
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| 2SD235 東京芝浦電気 |
  |
1970年頃開発のトランジスタです。2SB435とコンプリメンタリです。安価で大量に出回っていたため、よく使用しました。 付きは工業用です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD235 R
2SD235 O
2SD235 Y |
東芝 |
AF PA |
Si.DJ |
50 |
40 |
10 |
3A |
1.5W
25W |
150 |
100 |
20 |
40/ /80
70/ /140
120/ /240 |
5 |
500 |
5 |
-500 |
/1/ |
250 |
|
TO-220AB
SC-45
2-10 |
2SD235 R
2SD235 O
2SD235 Y |
東芝 |
AF PA |
Si.DJ |
50 |
40 |
10 |
3A |
1.5W
25W |
150 |
100 |
40 |
40/ /80
70/ /140
120/ /240 |
5 |
500 |
10 |
-500 |
/1/ |
250 |
|
TO-220AB
SC-45
2-10 |
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| 2SD261 日本電気 NEC |
 |
 |
 |
1970年頃開発のトランジスタです。2SA643とコンプリメンタリです。
TO-92タイプの外囲器にアルミ板を巻き付けた構造とし、許容コレクタ損失を確保しています。
hFEの細別区分は6段階でかなり多いです。
2SD261の規格表はインターネット上にはほとんどありません。探さなくとも済むよう、こちらに置いておきます。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCB
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD261 S
2SD261 W
2SD261 R
2SD261 V
2SD261 Q
2SD261 P |
NEC |
AF PA |
Si.E |
40 |
20 |
5 |
500 |
500 |
125 |
0.2 |
25 |
60/ /95
80/ /120
100/ /150
125/ /190
150/ /230
185/ /285 |
1.0 |
100 |
6 |
-10 |
/120/ |
|
|
44 |
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| 2SD291、2SD292 SONY |
 |
 |
CQ出版社の規格表では、2SD290のICBO最大値については、転記ミスをしたようです。数値的には最大定格と矛盾しています。
コレクタ損失はSONY資料により修正しました。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD290 |
SONY |
LF PA. |
Si.TMe |
80 |
80 |
|
5A |
23W
10W |
120 |
100 |
150 |
/100/ |
3 |
2A |
|
|
|
|
|
153
TC-9,TB-12 |
| 2SD291 |
SONY |
RF.
LF PA. |
Si.DJ |
70 |
40 |
10 |
3A |
18W |
150 |
20 |
30 |
/100/ |
1 |
100 |
10 |
-500 |
/4/ |
250 |
|
153
TC-9,TB-12 |
| 2SD292 |
SONY |
LF PA. |
Si.DJ |
70 |
55 |
10 |
3A |
23W
18W |
150 |
20 |
30 |
/100/ |
1 |
100 |
10 |
-500 |
/4/ |
250 |
|
153
TC-9,TB-12 |
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| 2SD330 三洋電機 |
 |
 |
三洋電機の低周波電力増幅用トランジスタです。2SB514とコンプリメンタリです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD330 C
2SD330 D
2SD330 E
2SD330 F |
三洋 |
AF.PA |
Si.TDiffP |
50 |
50 |
5 |
2A |
1.75W
20W |
150 |
100 |
20 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
2 |
1A |
5 |
0.5A |
/8/ |
|
|
TO-220
SC-46
2010B
268 |
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| 2SD384 新電元 |
 |
 |
新電元の低周波電力増幅用ダーリントントランジスタです。 ハウスナンバーはT7D8です。
プリンターのハンマードライブ、パルスモーター、ソレノイド、ランプドライブ、電源、低速スイッチング用を意図して製造されているとのことです。
このトランジスタの特徴は、小さなパッケージであるにもかかわらず、最大コレクタ電流が7Aと大きいことです。また、驚くほど応答周波数が低いことです。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fae
(kHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD384 |
新電元 |
AF.PA |
Si.DJ |
80 |
80 |
4 |
7A |
30W |
150 |
500 |
80 |
1500/5000/15000 |
5 |
5A |
10 |
1A |
/20/ |
|
|
TB-23
TC-9A
204 |
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| 2SD401，2SD401A NEC |
 |
1974年頃開発された、NECの14-20インチカラーテレビ垂直偏向用トランジスタです。それぞれ、2SB546、2SB546Aとコンプリメンタリーです。
すぐに、2SD401Aが開発されたようで、1976年には2SD401の規格はデータブックから消えてしまっています。放熱面金属部分の形状は特徴的です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD401 M
2SD401 L
2SD401 K |
NEC |
AF.PA |
Si.TD |
150 |
150 |
5.0 |
2A |
25W |
150 |
50 |
150 |
40/ /80
60/ /120
100/ /200
|
10 |
400 |
10 |
0.4A |
/7/ |
|
|
SC46
TO-220AB
268 |
2SD401A M
2SD401A L
2SD401A K
(1976) |
NEC |
AF.PA |
Si.TD |
200 |
150 |
5.0 |
2A |
25W |
150 |
50 |
150 |
40/ /80
60/90/120
100/ /200
|
10 |
400 |
10 |
0.4A |
/5/ |
45 |
|
SC46
TO-220AB
268 |
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| 2SD535 日本電気 |
 |
 |
 |
|
日本電気のシリーズ制御電源用トランジスタです。このトランジスタは、大電流になるとhFEが急減する特性であり、過大電流が流れにくく、耐破壊性に優れているとのことです。
比較的短命のトランジスタですが、大陸製の偽物があります。偽物は本家よりもhFEの直線性が良いことをアピールしていますが、本来の設計思想自体を理解していません。詳細データシートはインターネット上にはありませんでした。上記hFEのグラフは本家のデータブックからです。ICが約7(A)を越えるとhFEが急減しています。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA)
|
VCE
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD535 |
NEC |
LF.PA |
Si.TMe |
250 |
120 |
10 |
12A |
150W |
150 |
100 |
120 |
40/75/200
15/30/ |
5
5 |
2.0A
7.0A |
|
|
|
|
|
TO-3
TC-3,TB-3
C14A,B18 |
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| 2SD636,2SD637,2SD638 松下電器 Panasonic |
 |
これらのトランジスタは、1977年頃の開発で、汎用の小出力用です。M型パッケージとしたことで、プリント配線板への自動挿入、手挿入が容易、自立固定ができることが特徴とのことです。同時期に他社でも同様のパッケージのトランジスタが製造されていました。
2SD638と2SB643、2SD639と2SB644がコンプリメンタリ設定です。 |
型名
Type
|
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD636 Q
2SD636 R
2SD636 S |
松下 |
PA |
Si.EP |
30 |
25 |
7 |
100 |
400 |
150 |
1 |
20 |
160/ /260
210/ /340
290/ /460 |
10 |
2 |
5 |
-2 |
150 |
3.5 |
|
151,SC-71,M |
2SD637 Q
2SD637 R
2SD637 S |
松下 |
PA |
Si.EP |
60 |
50 |
7 |
100 |
400 |
150 |
1 |
20 |
160/ /260
210/ /340
290/ /460 |
10 |
2 |
5 |
-2 |
150 |
3.5 |
|
151,SC-71,M |
2SD638 Q
2SD638 R
2SD638 S |
松下 |
PA |
Si.EP |
30 |
25 |
7 |
500 |
600 |
150 |
0.1 |
20 |
85/ /170
120/ /240
170/ /340 |
10 |
150 |
5 |
-2 |
200 |
/6/15 |
|
151,SC-71,M |
2SD639 Q
2SD639 R
2SD639 S |
松下 |
PA |
Si.EP |
60 |
50 |
7 |
500 |
600 |
150 |
0.1 |
20 |
85/ /170
120/ /240
170/ /340 |
10 |
150 |
5 |
-2 |
200 |
/6/15 |
|
151,SC-71,M |
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| 2SD640 東芝 |
 |
1977年頃の開発です。高電圧スイッチング用、大電力増幅用です。
スイッチング特性
ton 1.0μs typ
tstg 3.0μs typ
tr 0.6μs typ
IC=3.0A IB=0.3A |
型名
Type
|
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格
Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD640 |
東芝 |
PA |
Si.EP |
600 |
400 |
5 |
7A |
100W |
150 |
100 |
500 |
25/ /140 |
5 |
1A |
10 |
0.5A |
/3/ |
/70/ |
|
TO-204MA,TO-3,TC-3
TB-3,102,2-21E1A |
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| 2SD669A 日立製作所 |
初期タイプ(Initial type)
後期タイプ(Late type)
 |
高耐圧のオーディオ用トランジスタです。終段用ドライバーとしてよく使用されていました。ICは、最大100mA程度までで使用するのが良いようです。2SD669と2SD669Aは、それぞれ2SB649と2SB649Aのコンプリメンタリです。
このトランジスタは、大陸製の偽物が大量にあります。インターネット上で検索すると9割がたは偽物や互換品と思われるものがヒットします。本物と偽物は下記のような差があります。カッコ内は偽物の事例です。まず、本物のレジンモールドの色は灰色又は黒色で、上部左右と下部中央に浅い窪み(窪みの位置が異なったり、深い窪みや窪み内に刻印)があります。正しい日立のマーク(立の字の縦の棒がない。立の字が非対称)やhFEのアルファベットが形式番号の次の行右端で丸囲み(丸囲みではない。または形式番号と同じ行。)。形式番号は横書き(縦書き)です。裏の金属部分が八角形(八角形でなかったり、一部が欠けている。)。真中のリード線の根元が少し太い(同じ太さ)。
左の画像は本物です。リード線をフォーミングしていますが、新品ではストレートです。
It was often used as a final stage driver. A collector current of up to 100mA seems to be good.
The 2SD669 and 2SD669A are complementary to the 2SB649 and 2SB649A respectively.
There are a lot of fakes of this transistor made in Southeast Asia. When I search on the internet,
more than 90% of the hits seem to be fake.The difference between genuine and fake is as follows. Cases in parentheses are fakes. First of all, the color of the genuine resin mold is gray or black). There are shallow dents (positions of dents are different, deep dents and engravings in dents)on the upper left and right and lower center (other than). The corect Hitachi mark (there is no vertical bar in the standing character. The mark is asymmetrical.) and the hFE alphabet   are at the right end of the line next to the model number (on the same line as the model number.). Type number D669A are written horizontally (vertically). The metal part on the back is octagonal (quadrangular and partly missing). The base of the central lead wire is slightly thicker (same thickness).
The images on the left are genuine.
| 項目 |
本物(初期ロット) |
本物(後期ロット) |
(下記が一つでもあれば)偽物 |
| 形式番号 |
横書 |
縦書 |
| hFEのアルファベット |
形式番号の次の行右端で丸囲み |
形式番号の次の行右端で丸囲みではない。 |
形式番号と同じ行。 |
| レジンモールド |
灰色 |
黒色 |
黒色 |
| エンボス窪み |
上部左右と下部中央に浅い窪み
下部中央の浅い窪みの中には「TAIWAN」の文字 |
左記以外
窪みの位置が異なる。
深い窪みや窪み内に刻印 |
| 日立のマーク |
立の字の縦の棒あり。立の字が対称。 |
立の字の縦の棒がない。立の字が非対称。 |
| 真中のリード線 |
根元が少し太い |
BCEとも同じ太さ |
| 裏の金属部分 |
八角形 |
八角形でなかったり、一部が欠けている。 |
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃)
|
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD669
2SD669
2SD669 |
日立 |
AF.PA |
Si.E |
180 |
120 |
5 |
1.5A |
1W
20W |
150 |
10 |
160 |
60/ /120
100/ /200
160/ /320 |
5 |
150 |
5 |
150 |
/140/ |
14 |
|
TO-126
160 |
2SD669A
2SD669A |
日立 |
AF.PA |
Si.E |
180 |
160 |
5 |
1.5A |
1W
20W |
150 |
10 |
160 |
60/ /120
100/ /200 |
5 |
150 |
5 |
150 |
/140/ |
14 |
|
TO-126
160 |
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| 2SD683 東芝 |
 |
 |
 |
このトランジスタは、1977年頃、高電圧、高速スイッチング用に開発されました。ダーリントンタイプのトランジスタです。hFEのピークは3(A)程度で1000〜2000が期待できます。
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VCEO
(SUS)
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
VCB最小値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
ICBO
(μA) |
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD683 |
東芝 |
HV SW
MOTER
DRIVE |
Si.TDiff
|
600 |
400 |
400
/IC=5A |
5 |
15A |
150W |
150 |
0.5mA |
600 |
500/ /
30/ / |
5
5 |
5A
15A |
50 |
0 |
|
100 |
|
TO-3
TC-3,TB-3
2-21A1A |
| 2SD683A |
東芝 |
HV SW
MOTER
DRIVE |
Si.TDiff
|
600 |
450 |
450
/IC=5A |
5 |
15A |
150W |
150 |
0.5mA |
600 |
500/ /
30/ / |
5
5 |
5A
15A |
50 |
0 |
|
100 |
|
TO-3
TC-3,TB-3
2-21A1A |
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| 2SD711，2SD711A 富士電機 |
 |
 |
このトランジスタは、1970年代末期頃、高電圧、高速スイッチング用に開発されました。ダーリントンタイプのトランジスタです。
内部の拡散抵抗の値は不明です。
スイッチング特性
|
ton(μs) |
tstg(μs) |
tf(μs) |
条件 |
| 2SD711 |
/ /3.0 |
/ /15.0 |
/ /10.0 |
IC=15A、IB1＝-IB2＝0.15A、RL=5Ω、PW=50μs、Duty≦2% |
| 2SD711A |
/ /2.0 |
/ /15.0 |
/ /5.0 |
IC=15A、IB1＝-IB2＝0.30A、RL=20Ω、PW=20μs |
|
 |
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VCEO
(SUS)
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
VCB最小値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
ICBO
(μA) |
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD711 |
富士電機 |
HV SW
HS SW |
Si.TDiff
Planer |
500 |
500 |
350
/IC=0.5A |
6 |
15A |
100W |
150 |
1mA |
500 |
100/ / |
1.5 |
15A |
|
|
|
|
|
TO-3
TC-3,TB-3 |
| 2SD711A |
富士電機 |
HV SW
HS SW |
Si.TDiff
Planer |
600 |
600 |
450
/IC=1A |
6 |
15A |
100W |
150 |
1mA |
600 |
50/ / |
1.5 |
15A |
|
|
|
|
|
TO-3
TC-3,TB-3 |
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| 2SD777 東京芝浦電気 |
 |
 |
このトランジスタはラインオペレートのテレビ電源回路専用に1970年代後半頃開発されました。使用に当たっては、整流回路からの+電圧をコレクタに、負荷回路をエミッタ側に接続します。負荷回路に供給する電圧はラインオペレートですので、定格で最大140V程度です。電源スイッチ投入直後で負荷電圧が0Vのときは、トランジスタのC-E間に最大電圧が印加され、B-C間に接続されている内蔵ツェナーダイオードによりコレクタ側からベース電流が供給され、負荷電圧が急速に立ち上がり始めます。そして、負荷電圧が100V程度に達すると、内蔵ツェナーダイオードは導通しなくなり、ベースに接続されている電源電圧調整回路からのベース電流のみで制御されるようになります。内蔵抵抗の2Ωは立ち上がり時の最大電流を制限するためのものです。
このように、特定電圧、特定回路での使用を目的としたトランジスタは大変珍しいです。前述の用途以外では、内部抵抗が大きく損失が大きい、C-E間にVz以上の電圧をかけられないなど、大変使いにくく汎用性のないトランジスタです。
パワートランジスタであるにもかかわらず、なぜかhFEは大きいです。 |
 |
|
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings
(Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD777 |
東芝 |
Reg. |
Si.DJ |
55±10 |
55±10 |
6 |
4A |
100W |
150 |
|
|
500/1000/2500 |
5 |
500 |
5 |
-500 |
|
|
|
TO-3
TC-3,TB-3
2-21A1A |
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| 2SD799 東京芝浦電気 |
 |
 |
このトランジスタは高電圧スイッチング用として1980年頃開発されました。
ダーリントン接続トランジスタです。hFEはIC=0.7A程度がピークで、それ以上では急減します。
スイッチング特性
ton 1 μs typ
tstg 8 μs typ
tf 5 μs typ
IC=4.0A IB1=0.04A IB2=-0.04A |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings
(Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCB
(V) |
IE
(mA) |
| 2SD799 |
東芝 |
HV SW |
Si.TD |
600 |
400 |
5 |
6A |
30W |
150 |
0.5mA |
600 |
600/ / |
2 |
2A |
50 |
0 |
|
/35/ |
|
TO-220AB
SC46
2-10A1A |
| 100/ / |
2 |
4A |
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| 2SD809 日本電気 NEC |
 |
モータドライブ、 ランプドライブ、リレードライブ、安定化電源等のスイッチング用途に適するとのことです。
このトランジスタは2SB731とコンプリメンタリ |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD809 L
2SD809 K
2SD809 F
2SD809 E |
NEC |
AF.PA.
LowSpeed
SW |
Si.E. |
100 |
50 |
6.0 |
1.0A |
1.0W
10W |
150 |
0.1 |
50 |
135/ /270
200/ /400
300/ /480
360/ /600 |
2.0 |
0.1 |
2.0 |
10 |
85 |
15 |
|
225 |
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| 2SD867 東京芝浦電気 |
 |
 |
東芝の大電力用シリコントランジスタです。
コレクタ電流を10Aも流すと、hFEは最大値の1/3程度に減少します。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
| (μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD867 O
2SD867 Y |
東芝 |
PA,SW,Reg.
DC-DC Conv. |
Si.TD |
130 |
110 |
7 |
10A |
100W |
175 |
100 |
130 |
50/ /120
100/ /200 |
5 |
1A |
5 |
1A |
/1.5/ |
/200/ |
|
TO-3,
TO-204MA
TC-3,TB-3
2-21D1A |
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
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|
