2SD type Transistor　2000-2999

2SDタイプトランジスタ(2000～)

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2023. 1. 9	Ver. 1. 3	2SD2012を新規追加
2022.11.23	Ver. 1. 2	2SD2082を新規追加
2022. 4.17	Ver. 1. 1	2SD2138Aを新規追加
2022. 1. 1	Ver. 1. 0	公開初版　2SD2000以降を分離して新設

１　はじめに
　2SDタイプのトランジスタは1,700種以上開発されています。(2021年1月現在)　手持ちのトランジスタをご紹介します。各数値は、原則としてメーカー発表の一次資料を基本としています。
このページでは2000番台のものとしました。11-999番台、1000番台もどうぞ。

２　2SDタイプ(2000～)

2SD2012　東京芝浦電気

　1987年開発の低周波電力増幅用トランジスタです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD2012
2007.6.7

東芝

AF.PA

Si.TP

25W
2W

150

100

100/ /320

0.5A

/3/

2-10R1A

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2SD2061　ROHM

　1987年開発の低周波電力増幅用トランジスタです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。明示的に示されてはいませんが、2SB1370とコンプリメンタリです。h_FEでDランクがあることになっていますが、生産後期にはなくなっています。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD2061 D
2SD2061 E
2SD2061 F

ROHM

AF.PA

Si.TP

30W
2W

150

60/ /120
100/ /200
160/ /320

0.5A

/8/

381
SC-67

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2SD2082　サンケン

　1989年頃開発の電力増幅用ダーリントントランジスタです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。
用途としては、ソレノイド、モータードライブ用、一般用とされています。2SB1382とコンプリメンタリですが、オーディオ用ではないようです。　

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD2082

サンケン

Motor Drive
PA

Si.TP

120

16A

75W

150

120

2000/ /

-1A

/20/

/210/

FM100
TO3PF

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2SD2138,2SD2138A　　松下電器産業　　

　1988年頃開発された、松下電器産業のNPNタイプのダーリントントランジスタです。
　このトランジスタは特異な形をしています。板チョコのような形で、上から四分の一ぐらいのところに水平に溝があります。これは、放熱板に固定するときにクリップで止めるための溝です。
　2SB1418Aとコンプリメンタリです。2SB1418Aがエピタキシャルプレーナであるのに対して、2SD2138Aは三重拡散型プレーナであり、構造が異なります。内部の拡散抵抗の値は公表されていません。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD2138 Q
2SD2138 P

松下

AF.PA

Si.TDPlanar

15W
2.0W

150

100

2000/ /5000
4000/ /10000

0.5

/20/

MT-4-A1

2SD2138A Q
2SD2138A P

松下

AF.PA

Si.TDPlanar

15W
2.0W

150

100

2000/ /5000
4000/ /10000

0.5

/20/

MT-4-A1

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2SD2162　日本電気　NEC

　1989年開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。前述の2SD1590とはパッケージ違いで、中身は全く同一です。よって電気的には2SB1099とコンプリメンタリです。
　なぜ、パッケージ違いにしたのかは不明です。
　3A程度でh_FEが最大値となります。

型名
Type

社名
Mnf.

用途
Appli-
cation

構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃)

外形
Package
No.

V_CBO
(V)

V_CEO
(V)

V_EBO
(V)

I_C
(mA)

P_C
(mW)

T_j
(℃)

I_CBO最大値

直流又はパルスh_FE

バイアス

f_T(MHz)

Cob
(pF)

rbb(Ω)*
C_Crbb'
(pS)

(μA)

V_CB
(V)

最小/標準/最大
min/typ/max

V_CE(V)

I_C(mA)

V_CE
(V)

I_E
(mA)

2SD2162 M
2SD2162 L
2SD2162 K

NEC

AF.PA
LS SW.

Si.EP

150

100

25W
2W

150

1.0

100

2000/ /5000
3000/ /7000
5000/ /15000

SC-67

3　おわりに
　保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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