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2023.10. 1 |
Ver. 1. 5 |
2SD1187を新規追加 |
2022.10.10 |
Ver. 1. 4 |
2SD1582を新規追加 |
2022. 5.15 |
Ver. 1. 3 |
2SD1780を新規追加 |
2022. 5. 8 |
Ver. 1. 2 |
番台のリンク誤記修正 |
2022. 4.29 |
Ver. 1. 1 |
2SD1468、2SD1520を新規追加 |
2022. 1. 1 |
Ver. 1. 0 |
公開初版 2SD1000番台を分離して新設 |
1 はじめに
2SDタイプのトランジスタは2,700種以上開発されています。(2021年1月現在) 手元のトランジスタをご紹介します。各数値は、原則としてメーカー発表の一次資料を基本としています。
このページでは1000番台のものとしました。11-999番台、2000番台もどうぞ。
2 2SDタイプ
2SD1187 東京芝浦電気 |
|
1981年頃開発の大電力スイッチング用トランジスタです。
スイッチング特性 VCC=30V、IC=6A、IB1=-IB2=0.3A
tr: /0.5/
tstg: /2.5/
tf: /0.8/
(μs) |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure
|
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1187 O
2SD1187 Y
2001.5.24 |
東芝 |
SW |
Si.TDiff. |
100 |
80 |
5 |
10A |
80W |
150 |
0.5 |
20 |
70/ /140
120/ /240 |
1 |
1A |
4 |
1A |
/10/ |
/350/ |
|
2-16B1A |
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2SD1468 ROHM |
|
1985年頃開発のミューティング用トランジスタです。飽和電圧がVCE=0.006V(IC/IB=1mA/0.1mA)という優れた特性です。
パッケージ違いで2SD1865があります。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure
|
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA)
|
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1468 Q
2SD1468 R
2SD1468 S |
ROHM |
AF.
Muting |
Si.EP |
30 |
15 |
5 |
1A |
300 |
150 |
0.5 |
20 |
120/ /270
180/ /390
270/ /560 |
3 |
100 |
5 |
-50 |
50/150/ |
/15/30 |
|
138
SPT |
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2SD1520 日立製作所 |
|
|
1984年頃開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。
はリード線がストレート、はリード線が左の画像のように短いです。
hFEの区分はありません。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA)
|
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1520 |
日立 |
AF.PA |
Si.T |
100 |
80 |
7 |
4A |
20W |
150 |
100 |
80 |
1000/ /20000 |
3 |
2A |
|
|
|
|
|
DPAK |
2SD1520 |
日立 |
AF.PA |
Si.T |
100 |
80 |
7 |
4A |
20W |
150 |
100 |
80 |
1000/ /20000 |
3 |
2A |
|
|
|
|
|
245
DPAK |
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2SD1582 日本電気 NEC |
|
1984年頃開発の各種ドライブ用のトランジスタで、スーパーハイhFEトランジスタです。
ダーリントンではなく、シングルで高いhFEを実現しています。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1582 M
2SD1582 L
2SD1582 K |
NEC |
AF.PA |
Si.E |
60 |
50 |
15 |
1.0A |
1.0W |
150 |
0.1 |
60 |
800/ /1600
1200/ /2400
2000/ /3200 |
2 |
3A |
10 |
500 |
150/250/ |
/18/30 |
|
SP-8
278 |
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2SD1590 日本電気 NEC |
|
|
1985年頃開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。2SB1099とコンプリメンタリです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。このパッケージのトランジスタは多種発表されました。
後述する2SD2162はパッケージ違いで、中身は全く同一です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure
|
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V)
|
IC
(mA) |
PC
(mW)
|
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA)
|
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1590 M
2SD1590 L
2SD1590 K |
NEC |
AF.PA
LS SW. |
Si.EP |
150 |
100 |
7 |
8A |
25W
2W |
150 |
1.0 |
100 |
2000/ /5000
3000/ /7000
5000/ /15000 |
2 |
3A |
|
|
|
|
|
MP-45 |
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2SD1780 日本電気 NEC |
|
|
|
1987年頃開発のハンマードライブ用高hFEトランジスタです。IC出力をこのトランジスタのベースに入力し、そのまま負荷をドライブすることを目的として開発されました。
BC間に約60Vのツェナーダイオードが接続されており、サージ抑制対策に利用します。このツェナーダイオードのため、スイッチング速度はかなり低下します。元々ハンマードライブやリレードライブ用なので実害はあまりないと思います。
ダーリントン接続タイプの2SD1843も開発されています。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA)
|
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1780 M
2SD1780 L
2SD1780 K |
NEC |
Hammer Drv.
Motor Drv. |
Si.E |
60±10 |
60±10 |
15 |
2.0A |
1.0W |
150 |
0.1 |
40 |
800/ /1600
1200/ /2400
2000/ /3200 |
5.0 |
1.0A |
|
|
|
|
|
SP-8
278 |
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2SD1842 三洋電機 |
|
1987年頃開発の大電流スイッチング用トランジスタです。構造は三重拡散プレーナです。
耐圧があまり高くないのですが、大電流が流せるのは魅力です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1842 P
2SD1842 Q |
三洋電機 |
SW. |
Si.TP |
110 |
100 |
6 |
40A |
3W
150W |
150 |
100 |
100 |
50/ /100
70/ /140 |
2 |
4A |
|
|
|
|
|
TO-3PB |
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2SD1843 日本電気 NEC |
|
|
1987年頃開発のトランジスタです。左図のようにツェナーダイオードとダンパー用ダイオードを内蔵しています。
このため、モーター、リレー、ソレノイドコイルなどのドライブに適しています。リレーの電圧は最高でも定格DC24V程度までとなります。
誘導性負荷の開閉には良いのかもしれませんが、通常の増幅用としては内蔵ダイオードは邪魔です。 |
型名
Type |
社名
Mnf. |
用途
Appli-
cation |
構造
Material
and
structure |
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) |
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) |
外形
Package
No. |
VCBO
(V) |
VCEO
(V) |
VEBO
(V) |
IC
(mA) |
PC
(mW) |
Tj
(℃) |
ICBO最大値 |
直流又はパルスhFE |
バイアス |
fT
(MHz) |
Cob
(pF) |
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS) |
(μA) |
VCB
(V) |
最小/標準/最大
min/typ/max |
VCE
(V) |
IC
(mA) |
VCE
(V) |
IE
(mA) |
2SD1843 M
2SD1843 L
2SD1843 K |
NEC |
SW. |
Si.E |
60±10 |
60±10 |
7.0 |
1A |
1W |
150 |
0.5 |
40 |
2000/ /5000
4000/ /10000
8000/ /30000 |
2 |
0.5A |
|
|
|
|
|
SP-8
278 |
3 おわりに
保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。
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