2SDタイプトランジスタ(1000〜)
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2023.10. 1 Ver. 1. 5 2SD1187を新規追加
2022.10.10 Ver. 1. 4 2SD1582を新規追加
2022. 5.15 Ver. 1. 3 2SD1780を新規追加
2022. 5. 8 Ver. 1. 2 番台のリンク誤記修正
2022. 4.29 Ver. 1. 1 2SD14682SD1520を新規追加
2022. 1. 1 Ver. 1. 0 公開初版 2SD1000番台を分離して新設

1 はじめに
 2SDタイプのトランジスタは2,700種以上開発されています。(2021年1月現在) 手元のトランジスタをご紹介します。各数値は、原則としてメーカー発表の一次資料を基本としています。
このページでは1000番台のものとしました。11-999番台2000番台もどうぞ。


2 2SDタイプ
2SD1187   東京芝浦電気
 1981年頃開発の大電力スイッチング用トランジスタです。
スイッチング特性 VCC=30V、IC=6A、IB1=-IB2=0.3A
 tr: /0.5/
 tstg: /2.5/
 tf: /0.8/
  (μs)
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1187 O
2SD1187 Y
2001.5.24
東芝 SW Si.TDiff. 100 80 5 10A 80W 150 0.5 20 70/ /140
120/ /240
1 1A 4 1A /10/ /350/ 2-16B1A
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2SD1468   ROHM
 1985年頃開発のミューティング用トランジスタです。飽和電圧がVCE=0.006V(IC/IB=1mA/0.1mA)という優れた特性です。
パッケージ違いで2SD1865があります。 
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1468 Q
2SD1468 R

2SD1468 S
ROHM AF.
Muting
Si.EP 30 15 5 1A 300 150 0.5 20 120/ /270
180/ /390
270/ /560
3 100 5 -50 50/150/ /15/30 138
SPT
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2SD1520 日立製作所
 1984年頃開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。
はリード線がストレート、はリード線が左の画像のように短いです。
hFEの区分はありません。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1520 日立 AF.PA Si.T 100 80 7 4A 20W 150 100 80 1000/ /20000 3 2A
DPAK
2SD1520 日立 AF.PA Si.T 100 80 7 4A 20W 150 100 80 1000/ /20000 3 2A 245
DPAK
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2SD1582 日本電気  NEC
 1984年頃開発の各種ドライブ用のトランジスタで、スーパーハイhFEトランジスタです。
 ダーリントンではなく、シングルで高いhFEを実現しています。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1582 M
2SD1582 L
2SD1582 K
NEC AF.PA Si.E 60 50 15 1.0A 1.0W 150 0.1 60 800/ /1600
1200/ /2400
2000/ /3200
2 3A 10 500 150/250/ /18/30 SP-8
278
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2SD1590 日本電気  NEC
 1985年頃開発の低周波電力増幅、低速スイッチング用ダーリントン接続トランジスタです。2SB1099とコンプリメンタリです。モールドパッケージなので絶縁が楽です。このパッケージのトランジスタは多種発表されました。
 後述する2SD2162はパッケージ違いで、中身は全く同一です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)

IC
(mA)
PC
(mW)

Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1590 M
2SD1590 L
2SD1590 K
NEC AF.PA
LS SW.
Si.EP 150 100 7 8A 25W
2W
150 1.0 100 2000/ /5000
3000/ /7000
5000/ /15000
2 3A MP-45
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2SD1780  日本電気 NEC
 1987年頃開発のハンマードライブ用高hFEトランジスタです。IC出力をこのトランジスタのベースに入力し、そのまま負荷をドライブすることを目的として開発されました。
 BC間に約60Vのツェナーダイオードが接続されており、サージ抑制対策に利用します。このツェナーダイオードのため、スイッチング速度はかなり低下します。元々ハンマードライブやリレードライブ用なので実害はあまりないと思います。
 ダーリントン接続タイプの2SD1843も開発されています。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1780 M
2SD1780 L
2SD1780 K
NEC Hammer Drv.
Motor Drv.
Si.E 60±10 60±10 15 2.0A 1.0W 150 0.1 40 800/ /1600
1200/ /2400
2000/ /3200
5.0 1.0A SP-8
278
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2SD1842  三洋電機
 1987年頃開発の大電流スイッチング用トランジスタです。構造は三重拡散プレーナです。
 耐圧があまり高くないのですが、大電流が流せるのは魅力です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1842 P
2SD1842 Q
三洋電機 SW. Si.TP 110 100 6 40A 3W
150W
150 100 100 50/ /100
70/ /140
2 4A TO-3PB
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2SD1843 日本電気 NEC 
 1987年頃開発のトランジスタです。左図のようにツェナーダイオードとダンパー用ダイオードを内蔵しています。
 このため、モーター、リレー、ソレノイドコイルなどのドライブに適しています。リレーの電圧は最高でも定格DC24V程度までとなります。
 誘導性負荷の開閉には良いのかもしれませんが、通常の増幅用としては内蔵ダイオードは邪魔です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCE
(V)
IE
(mA)
2SD1843 M
2SD1843 L
2SD1843 K
NEC SW. Si.E 60±10 60±10 7.0 1A 1W 150 0.5 40 2000/ /5000
4000/ /10000
8000/ /30000
2 0.5A SP-8
278

3 おわりに
 保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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