2SBタイプトランジスタ
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2024.12. 1 Ver. 3.11 2SB649Aに追記、2SB774に追記
2024.10.28 Ver. 3.10 2SB1722SB175を追加
2024. 9. 8 Ver. 3. 9 2SB2122SB214を追加
2023.11. 5 Ver. 3. 8 2SB383を追加
2023.10.15 Ver. 3. 7 2SB262SB562SB752SB400を追加
2023.10. 1 Ver. 3. 6 2SB686を追加
2023. 1. 9 Ver. 3. 5 2SB232にコメント追記
2022.12.25 Ver. 3. 4 2SB673を追加
2022. 5. 8 Ver. 3. 3 2SB774を追加
2022. 4.29 Ver. 3. 2 2SB734を追加
2022. 1. 1 Ver. 3. 1 2SB1000番台以降を分離
2021.12.12 Ver. 2.12 2SB6412SB6432SB644を追加
2021. 8. 8 Ver. 2.11 2SB649Aを追加、2SB54、2SB56にコメント追加
2021. 7.25 Ver. 2.10 2SB381を追加
2021. 7.11 Ver. 2. 9 2SB492SB52を追加
2021. 7. 4 Ver. 2. 8 2SB1002SB291を追加
2021. 6. 1 Ver. 2. 7 2SB77Aにコメント追記、2SB1370を追加
2021. 5.24 Ver. 2. 6 2SB1098を追加、2SB794に図追記
2021. 5.10 Ver. 2. 5 2SB4352SB514を追加
2021. 5. 1 Ver. 2. 4 誤記修正
2021. 4.26 Ver. 2. 3 2SB144のコメント追記、2SB794を追加
2021. 4.17 Ver. 2. 2 2SB47の追加
2021. 1.24 Ver. 2. 1 2SB77A2SB459の追加、その他コメント追記
2021. 1. 4 Ver. 2. 0 様式変更、コメント修正
2020.11.19 Ver. 1. 1 2SB232のコメント修正
2020.11. 8 Ver. 1. 0 公開初版

1 はじめに
 2SBタイプのトランジスタは1,700品種以上開発されています。(2020年9月現在) 手元のトランジスタをご紹介します。下表の数値は原則としてメーカー発表の1次資料からとしました。
 2SBタイプの1000番台はこちら

2 2SBタイプ
2SB26  東京芝浦電気
低周波電力増幅用です。
B級プッシュプル動作だとVCC=12Vで8W程度、A級シングル動作だとVCC=12Vで1.6W程度が得られました。この頃のゲルマニウムトランジスタの性能は決して高くなく、 低いRBEを入れないと十分な電圧をかけられませんし、漏れ電流ICBOが大きいのでこれによるコレクタ損失も無視できません。周波数特性も現代の標準から見ると極めて低いです。

新旧形式名が紛らわしいので整理しておきます。
新形式番号 2SB25 2SB26 2SB26A
旧形式番号 2S26A 2S26 -
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,TC=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又は小信号hFE バイアス fab
(kHz)
Cob
(pF)
*rbb(Ω)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB(V) 最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB25
(1962)
東芝 AF.PA Ge.A -60 -60
RBE=50Ω
-12 -1.5A 20W 85 -160 -12 34/60/115 -1.5 -1A -1.5 0.5A /250/ 102
TO-3
2-19
2SB26
(1962)
東芝 AF.PA Ge.A -32 -32
RBE=50Ω
-12 -1.5A 20W 85 -160 -12 34/60/115 -1.5 -1A -1.5 0.5A /250/
2SB26A
(1964)
東芝 AF.PA Ge.A -45 -45
RBE=100Ω
-12 -3A 20W 85 -160 -12 34/60/115 -1.5 -1A -1.5 0.5A /300/
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2SB47  東京芝浦電気
2SB47:低周波低雑音用のトランジスタです。あまり見かけないと思います。旧形式名は2S47です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
*VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBX,*ICBO
最大値
直流又は小信号hFE バイアス fab
*f
T
(MHz)
Cob
(pF)
*rbb(Ω)
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB(V) 最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IE
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB47(1962) 東芝 AF.LN Ge.A -25 -12 -50 80 75 *14 -25 60/120/250
/140/
-1.5
-6
0.5
1
12A
TO-1
TC-1
TB-1A
2-6
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2SB49 , 2SB52  SONY
2SB49:低周波用のトランジスタで、旧形式名は2T31です。hFEの小さいほうから順に2SB48、2SB49、2SB50と新形式番号が割り当てられました。
2SB52:低周波電力増幅用のトランジスタで、旧形式名は2T32です。hFEの小さいほうから順に2SB51、2SB52と新形式番号が割り当てられました。
下記でVCER(V)の条件の抵抗値は不明です。それから、ケースはベース端子につながっています。この時代のGeトランジスタはこのような接続が多いです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fab
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB48 SONY AF.PA Ge.A -16 -16 -100 140 65 -16 -16 /43/ -1 -20 -6 1 2.5 25 84A
2SB49 SONY AF.PA Ge.A -16 -16 -100 140 65 -16 -16 /83/ -1 -20 -6 1 3.0 25 84A
2SB50 SONY AF.PA Ge.A -16 -16 -100 140 65 -16 -16 /131/ -1 -20 -6 1 3.5 25 84A
2SB51 SONY PA Ge.A -30 -20 -3 -200 200 85 -16 -25 /43/ -1 -20 -6 1 2.0 25 84A
2SB52 SONY PA Ge.A -30 -20 -3 -200 200 85 -16 -25 /83/ -1 -20 -6 1 3.0 25 84A
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2SB54,2SB56  東京芝浦電気
2SB54:6石AMラジオの低周波増幅用の定番でした。旧形式名は2S54です。下記でVCERの条件はRBE=10kΩ。
2SB56:6石AMラジオの低周波電力増幅用の定番でした。旧形式名は2S56です。下記でVCERの条件はRBE=5kΩ
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又は小信号hFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)
(pS)
(μA) VCB(V) 最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB56
(1962)
2SB56
(1975)
東芝 AF.PA Ge.A -25
-30

-25
-12
-12
-50
-150
150
150
75 -14
-14
-25
-30
45/80/125
/80/
-1
-1
IC=-50
IC=-50
-6
-6
1
1
/1/ /35/
/35/

120
12A
TO-1
TC-1
TB-1A
2-6
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2SB75  日立製作所
低周波用の標準的トランジスタでした。標準の2SB752SB75Aなどのバリエーションがありました。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBX最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fab
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IE
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB75
2SB75
2SB75

(1967)
日立 AF. Ge.A -25 -25 -12 -100 150 85 / /-14
(VEB=-6)
-25 /40/
/55/
/70/
-6 1 -6 1 /2/ 12A
2SB75A
2SB75A
2SB75A

(1967)
日立 AF. Ge.A -45 -45 -12 -100 150 85 / /-14
(VEB=-6)
-45 /40/
/55/
/70/
-6 1 -6 1 /2/ 12A
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2SB77A  日立製作所
低周波用の標準的トランジスタでした。標準の2SB77、通信工業用の2SB772SB77Aなどのバリエーションがありました。
ほとんど知られていませんが、三洋電機製や松下電子工業製の2SB77があります。これは、NHKが放送機器用に採用するものを選び、規格としていたので、オリジナル以外のメーカーがセカンドソースを作っていたものです。1960年代が最盛期でした。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBX最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fab
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB77
2SB77
2SB77
日立 AF.PA. Ge.A -25 -25 -12 -100 150 85 / /-14
(VEB=-6)
-25 /65/
/85/
/110/
-1.5 -50 -6 1 /2/ 12A
2SB77 日立 AF.PA.SW Ge.A -30 -30 -12 -100 150 85 /-6/-10
(VEB=-6)
-30 60/85/110 -1.0 -50 -6 1 /1.5/ 12A
2SB77 三洋 AF.PA. Ge.A -30 -30 -12 -100 150 85 / /-10
(ICBO)
-30 60/ /100 -1.0 -50 -6 1 /1/ 12A
2SB77 松下 AF.PA.SW Ge.A -30 -30 -12 -100 150 85 / /-10
(ICBO)
-30 60/ /100 -1.0 -50 -6 1 /1/ 12A
T-3
2SB77A
2SB77A
2SB77A
日立 AF.PA. Ge.A -45 -45 -12 -100 150 85 / /-25
(VEB=-6)
-45 /65/
/85/
/110/
-1.5 -50 -6 1 /2/ 12A
2SB77A 日立 AF.PA. Ge.A -45 -45 -12 -100 150 85 /-6/-10
(ICBO)
-30 60/85/110 -1.0 -50 -6 1 /1.5/ 12A
2SB77A 松下 AF.PA.SW Ge.A -60 -60
VCER
RBE=5kΩ
-12 -100 150 85 / /-10
(ICBO)
-30 60/ /100 -1.0 -50 -6 1 /1/ 12A
T-3
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2SB100  NEC   日本電気
  工業用・通信用低雑音用途でした。主として放送機器での使用を想定したもののようです。NFは1kHz、Rg=500Ωで最大5dBとのことです。外形の割にコレクタ損失が小さく、ベースはケースに接続されています。
 この頃のNEC製トランジスタは黒色塗装されています。画像右端の赤ペイントはコレクタマークです。なお、このトランジスタは1960年製です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICEO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fab
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IE
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB100 NEC AF.LN. Ge.A -30 -10 -50 100 75 -10 -30 /60/ -6 1.0 -6 1.0 *1.2 35 84A
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2SB144  SONY
  旧形式は2T303でした。それを hFEの大きくなる順に2SB1422SB1432SB144としたものです。さらに、2SB143のペアーを2SB1452SB144のペアーを2SB146として命名していました。取付面に窪んだ穴があるのが特徴的です。チップからの放熱が悪くなるのではと思います。なぜこのような窪んだ穴があるかを説明します。このトランジスタは白黒テレビのブラウン管垂直偏向出力用やオーディオ用として開発されましたが、ゲルマニウムのため温度特性が悪く、コレクタ電流が変化してテレビ画像がひずんでしまいます。そこで、半導体チップ部分の温度をできるだけ精度よく検出し補正するため、このような窪みを設け、そこにサーミスタを実装することにしたそうです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fae
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB144 SONY AF.PA. Ge.A -30 -12 -1A 10W 85 -1mA -30 75 -1.5 -1A *7kHz TO-3
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2SB172  2SB175  松下電器産業
低周波用の標準的トランジスタでした。2SB172,2SB176,2SB177はB級プッシュプルで0.4W出力が得られるとしていました。
2SB175など付は工業用です。
hFEのアルファベットは、規格表では文字だけですが、現品では丸囲みとなります。
後期の製品は接合部温度が85℃となっています。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fab
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IE
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB172
1966
松下 AF.PA Ge.A -32 -10 -125 125 75 /-3/-12 -10 30/50/75 -1.0 IB=-2 12A
T-3
2SB172
2SB172
2SB172
松下 AF.PA Ge.A -32 -10 -150 125 85 /-3/-12 -10 35/ /47
41/ /54
48/ /63
-1.0 IB=-2 -6 1 /0.700/ 12A
TC-1.TB-1
TO-1
2SB172
1966
松下 AF.PA Ge.A -32 -32 -10 -125 125 75 / /-6 -10 38/ /59 -1.0 IB=-2 12A
T-3
2SB175
1966
松下 AF. Ge.A -30 -10 -10 125 75 -1/-3/-12 -10 55/100/220 -6 1 12A
T-3
2SB175
2SB175
2SB175
松下 AF. Ge.A -30 -10 -10 125 85 /-3/-12 -10 55/ /130
85/ /220
150/ /360
-6 1 /0.700/ 12A
TC-1.TB-1
TO-1
2SB175
1966
松下 AF. Ge.A -30 -10 -10 125 75 -1/-3/-12 -10 65/ /140 -6 1 12A
T-3
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2SB212  2SB214  新電元
  低圧大電流のトランジスタです。重量は44gもあります。TO-3の外形に比べて二回りほど大きいです。足は大電流の用途のためにピンタイプではなく、穴の開いた端子形状です。
 この頃の新電元のパワートランジスタは左の画像のように型名をシールに印刷し、貼り付けていました。2SB212はOEMでATR7-304として供給されていました。シールの書式は酷似しています。
 ディーゼルエンジン補機発電機の界磁電流制御や自動車の12(V)電源から高圧を得るDC-DCコンバータ等に使用されました。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings
(Ta=25℃,
Tc=25℃)
電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fae
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)

(μA)
VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB203
L10
新電元 PA. Ge.A -40 - -40 -20A 80W 85 -5mA -40 /40/ -1.5 -15A 105
266
TC-19
TB-30
2SB204 新電元 PA. Ge.A -40 - -40 -30A 80W 85 -5mA -40 /100/ -1.5 -15A
2SB205
H10
新電元 LF PA. Ge.A -80 -60 -40 -20A 80W 85 -5mA -80 /40/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB206 新電元 LF PA. Ge.A -80 -60 -40 -30A 80W 85 -5mA -80 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB207 新電元 LF PA. Ge.A -100 -75 -40 -20A 80W 85 -5mA -100 /40/ -1.5 -15A *2.5kHz
2SB207A 新電元 LF PA. Ge.A -140 -75 -20 -20A 80W 85 -5mA -100 /40/ -1.5 -15A *2.5kHz
2SB208 新電元 LF PA. Ge.A -100 -75 -20 -30A 80W 85 -5mA -100 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB208A 新電元 LF PA. Ge.A -140 -85 -40 -30A 80W 85 -5mA -100 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB209
L15A
新電元 LF PA. Ge.A -40 - -40 -20A 80W 85 -5mA -40 /40/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB210
L15B
新電元 LF SW Ge.A -40 - -40 -30A 80W 85 -5mA -40 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB211
H15A
新電元 LF SW Ge.A -80 -60 -40 -20A 80W 85 -5mA -60 /40/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB212
H15B
新電元 LF SW Ge.A -80 -60 -40 -30A 80W 85 -5mA -60 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB213
U15A
新電元 LF SW Ge.A -100 -75 -40 -20A 80W 85 -5mA -75 /40/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB213A 新電元 LF SW Ge.A -100 -85 -40 -20A 80W 85 -5mA -75 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB214
U15B
新電元 LF SW Ge.A -100 -75 -40 -30A 80W 85 -5mA -100 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
2SB214A 新電元 LF SW Ge.A -100 -100 -40 -30A 80W 85 -5mA -100 /100/ -1.5 -15A -6 2A *2.5kHz
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2SB232  松下電器産業 SONY
  SONYの白黒TVから外したものです。現物はSONYの表示ですが、SONY自身が発行した「補修用トランジスタハンドブック(1995)」及び松下電器産業の「ナショナル半導体ハンドブック(1967)」では松下電器産業となっているため、真のメーカーは、松下電器産業のようです。また、CQ出版のトランジスタ規格表でも松下電器産業となっています。1960年代前半はトランジスタの生産が不安定な時代であり、松下電器産業製を塗装してSONYに印字しなおしたものと思われます。コレクタ損失がCQ出版では54W、松下電器産業のハンドブックでは30Wとなっています。
ドリフトタイプであり、
VEBOは驚くほど低い値です。
型名 社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Type
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fae
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB232 松下 AF.PA. Ge.D -130 -130 -0.5 -6A 54W 90 -220 -14 75 -1 -200 TO-3
2SB232
(1967)
松下 AF.PA. Ge.D -130 -130 -0.5 -6A 30W 90 -220 -14 20/ / -1 -200 TO-3
T-24
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2SB291  東京芝浦電気
 通信・工業用低周波増幅用トランジスタです。底面は厚く1.5mm程度あります。金メッキのケースでコレクタ損失が大きそうですが、外形の割にコレクタ損失は小さく150mWしかありません。2SB292のドライブ用として生産されていたようです。
 東芝
hFE種別を色点で表していた時代です。こののち、色点は抵抗値の定数を示すのと同じ赤、橙、黄、緑、青、紫を順に使うようになり、更に後にはこれらの色の英語頭文字、R、O、Y、GR、BL、VをhFE区分として標記するようになりました。
 CQ出版のトランジスタ規格表ではhFEの測定条件(赤文字部分)が誤っています。
型名 社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Type
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No
.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fae
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB291 赤
2SB291 黄
2SB291 緑
東芝 AF. Ge.A -30 -25 -12 -150 150 75 -10 -12 22/ /55
45/ /105
95/ /210
-6
-1
-1
-50
-6 1 1 35 180 2-8C
84A
TO-5
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2SB381  2SB383  SONY
 SONYの低周波出力増幅用ゲルマニウムトランジスタです。白黒テレビやラジオの低周波出力段によく使われました。2SB3732SB383は、耐電圧とhFEにより区分されています。
 ベース端子はケースに接続となっており、NEC2SB2182SB227と同様です。
型名 社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Type
最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fab
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB381 SONY AF.PA Ge.A -32 -30 -12 -300 270 85 -10 -32 34/42/ -1 -20 -6 1 2.5 25 84A
2SB382 SONY AF.PA Ge.A -32 -30 -12 -300 270 85 -10 -32 /84/ -1 -20 -6 1 2.5 25 84A
2SB383 SONY AF.PA Ge.A -32 -30 -12 -500 270 85 -10 -32 /84/ -1 -20 -6 1 3 25 84A
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2SB400  三洋電機
 1964年頃開発の三洋電機の低雑音低周波増幅用ゲルマニウムトランジスタです。変わったコレクタマークがついています。
型名 社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Type
最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fab
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(
V)
IC
(mA)
VCB
(V
)
IE
(mA)
2SB400 三洋 AF.LN Ge.A -20 -30 -10 -40 100 85 -15 -10 /100/ -6 1 1 25 12A
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2SB435  東京芝浦電気
低周波電力増幅用です。2SD235とコンプリメンタリです。大量生産されました。
2SAや2SBのレジンモールドの色は青、緑が少なくないです。
型名 社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Type
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB435 R
2SB435 O
2SB435 Y
東芝 AF.PA. E.Mesa -40 -40 -5 3A 1.5W
25W
150 -10 -30 40/ /80
70/ /140
120/ /240
-5 500 -5 500 /3/ /200/ 268
TO-220AB
SC-46,2-10
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2SB459   日立製作所
シリコントランジスタがつぎつぎと発表されていく時期のゲルマニウムトランジスタでした。
低周波低雑音増幅用で比較的hFEが高いです。
型名 社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Type
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fae
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB459
2SB459
2SB459

2SB459
日立 AF.LN Ge.A -30 -18 -2.5 -50 120 100 -12 -20 /90/
/140/
/230/
/370/
-6 -1 12A
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2SB514 ,2SB515  三洋電機
ホームステレオ用で、2SD3302SD331とコンプリメンタリです。2SB5152SD331はリード線がフォーミングされており、コレクタリード線は短く切断されています。外形がTC-16やTC-16Aのトランジスタと取り付け互換性があるようになっています。このような例は2SC10602SC1061などにもみられます。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCES
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fae
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB514 C
2SB514 D
2SB514 E
2SB514 F
三洋 AF.PA. Si.E -50 -50 -5 -2A 1.75W
20W
150 -100 -20 40/ /80
60/ /120
100/ /200
160/ /320
-2 -1A 5 500 /8/ 268
TO-220AB
SC-46
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2SB6412SB6432SB644  松下電器産業 Panasonic
1977年頃開発の小型パッケージのトランジスタです。基板への自動挿入がやりやすい形状の一つとして開発されたようです。リード線の形状も工夫してあり、先端が尖り、途中にカエリのような突起が付いています。
2SB6432SD6382SB6442SD639とコンプリメンタリです。
不思議なことに近接する番号のトランジスタ2SB6412SB6422SD6362SD637とコンプリメンタリ設定がありません。定格や特性はコンプリメンタリとしても良いように思います。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings(Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No
.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IC
(mA)
2SB641 Q
2SB641 R
2SB641 S
松下 AF. Si.EP -30 -25 -7 -100 400 150 -1 -20 160/ /260
210/ /340

290/ /460
-10 -2 -10 -10 /150/ /3.5/ 151,SC-71,M
2SB642 Q
2SB642 R
2SB642 S
松下 AF. Si.EP -60 -50 -7 -100 400 150 -1 -20 160/ /260
210/ /340

290/ /460
-10 -2 -10 -10 /150/ /3.5/ 151,SC-71,M
2SB643 Q
2SB643 R
2SB643 S
松下 AF.PA Si.EP -30 -25 -7 -500 600 150 -0.1 -20 85/ /170
120/ /240

170/ /340
-10 -150 -10 -10 /200/ /6/15 151,SC-71,M
2SB644 Q
2SB644 R
2SB644 S
松下 AF.PA Si.EP -60 -50 -7 -500 600 150 -0.1 -20 85/ /170
120/ /240

170/ /340
-10 -150 -10 -10 /200/ /6/15 151,SC-71,M
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2SB649A  日立製作所
初期タイプ
後期タイプ
高耐圧のオーディオ用トランジスタです。終段用ドライバーとしてよく使用されていました。ICは、最大100mA程度までで使用するのが良いようです。
2SB649と2SB649Aは、それぞれ2SD6692SD669Aのコンプリメンタリです。リード線をフォーミングしていますが、新品ではストレートです。このトランジスタは、大陸製の偽物が大量にあります。インターネット上で検索すると9割がたは偽物や互換品と思われるものがヒットします。
本物と偽物は下記のような外観の差があります。カッコ内は偽物の事例です。
項目 本物(初期ロット) 本物(後期ロット) (下記が一つでもあれば)偽物
形式番号 横書 縦書
hFEのアルファベット 形式番号の次の行右端で丸囲み 形式番号の次の行右端で丸囲みではない。 形式番号と同じ行。
レジンモールド 灰色 黒色 黒色
エンボス窪み 上部左右と下部中央に浅い窪み
下部中央の浅い窪みの中には「TAIWAN」の文字
左記以外
窪みの位置が異なる。
深い窪みや窪み内に刻印
日立のマーク 立の字の縦の棒あり。立の字が対称。 立の字の縦の棒がない。立の字が非対称。
真中のリード線 根元が少し太い BCEとも同じ太さ
裏の金属部分 八角形 八角形でなかったり、一部が欠けている。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IC
(mA)
2SB649
2SB649
2SB649
日立 AF.PA. Si.E -180 -120 -5 -1.5A 1W
20W
150 -10 -180 60/ /120
100/ /200
160/ /320
-5 -150 -5 -150 /140/ 27 160
TO-126
2SB649A
2SB649A
日立 AF.PA. Si.E -180 -160 -5 -1.5A 1W
20W
150 -10 -180 60/ /120
100/ /200
-5 -150 -5 -150 /140/ 27 160
TO-126
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2SB673  東京芝浦電気
大電力スイッチング用のダーリントントランジスタです。耐圧区分による形式番号が割り当てられています。
ton=0.8(μs)  tstg=2.0(μs)  tf=2.5(μs)
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IC
(mA)
2SB673
2SB674
2SB675
東芝 SW Si.E -100
-80
-60
-100
-80
-60
-5 -7A 40W 150 -100 -100
-80
-60
2000/ /15000 -3 -3A -5 -150 TO-220AB
SC-46
2-10A1A
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2SB686  東京芝浦電気
出力30〜35Wクラスのオーディオ出力段用のトランジスタです。2SD716とコンプリメンタリです。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IC
(mA)
2SB686 R
2SB686 O
東芝 AF PA Si.TDiff.
PCT
-100 -100 -5 -6A 60W 150 -10 -100 55/ /110
80/ /160
-5 -1A -5 -1A /10/ /270/ 2-16B1A
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2SB734   日本電気 NEC
1979年頃開発のNECの低周波電力増幅用のトランジスタで、2SD774とコンプリメンタリです。
形式番号側で、左からECBです。
日立2SC458を一回り大きくしたような形状です。
hFEの区分が従来のNECとは異なります。現品表示ではhFEランクが特定できません。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(nA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB734 L2
2SB734 K3
2SB734 K4
2SB734 U4

2SB734 U5
NEC AF.PA Si.E -60 -50 -6.0 -1.0A 1W 150 -100 -50 135/ /270
200/ /320
250/ /400
300/ /480
360/ /600
-2 -100 -2 10 50/80/ /23/50 278
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2SB774  松下電器産業
松下電器産業の低周波用のトランジスタです。
形式番号側で、左からECBです。
表の最上段は開発時、中段は後期のデータです。hFE区分のP、Q、Tが後期ではなくなっています。下段のように3桁の形式番号のトランジスタを改め、ハウスナンバーとして元の3桁の先頭に0を付加した4桁の形式番号でも販売していました。このような場合、元の3桁形式よりも4桁方式の方が定格が大きくなる傾向にあります。
さて、このトランジスタの特徴はVEBOが15(V)もあることです。これを生かして、ミューティング回路や可変電圧リミッタ回路などに便利でした。
東南アジアメーカーが同一形式番号の互換品を販売していますが、VEBOは15(V)もありません。注意が必要です。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB774 P
2SB774 Q
2SB774 R
2SB774 S
2SB774 T
1979
松下 AF Si.EP -30 -25 -15 -100 250 125 -1 -10 120/ /200
160/ /260
210/ /340
290/ /460
400/ /650
-10 -2 -2 10 /150/ /4/ TO-92
SC-43A
138
2SB774 R
2SB774 S
1994.11.30
松下 AF Si.EP -30 -25 -15 -100 400 150 -1 -10 210/ /340
290/ /460
-10 -2 -2 10 /150/ /4/ TO-92
SC-43
138
2SB0774 R
2SB0774 S
2001.3
松下 AF Si.EP -30 -25 -15 -100 400 150 -1 -10 210/ /340
290/ /460
-10 -2 -2 10 /150/ /4/ TO-92-B1
SC-43A
138
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2SB794  日本電気 NEC
1980年頃開発されたNECの低周波電力増幅、低速度スイッチング用の工業用ダーリントン接続トランジスタです。C-E間に逆方向の内蔵ダイオードを持っています。
2SD985とコンプリメンタリなのですが、耐電圧は劣ります。
型名
Type
社名
Mnf.
用途
Appli-
cation
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃,Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCER
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE バイアス *fae
(MHz)
Cob
(pF)
rbb(Ω)*
CCrbb'
(pS)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
VCB
(V)
IE
(mA)
2SB794 M
2SB794 L

2SB794 K
NEC PA.SW Si.E -60 -60 -8 -1.5A 1W
10W
150 -10 -60 2000/ /5000
4000/ /10000
8000/ / 30000
-2 -1A 225

3 おわりに
 保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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