μ-Xパッケージ半導体のマーキング
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2022.11. 6 Ver. 1. 3 2SK590のデータ追記
2022. 7.18 Ver. 1. 2 2-4F1のデータ追記
2022. 6.26 Ver. 1. 1 2SC4319のデータ追記
2022. 6.12 Ver. 1. 0 公開初版

1 はじめに
 μ-Xとは、1980年代まで東芝が採用していた高周波用半導体のパッケージです。このパッケージには形式番号表示はなく、代わりにアルファベット2文字のマーキング表示がされていました。このため、形式名がすぐに判りません。そこで、手持ち情報をまとめてみました。
 
2 μ-Xパッケージ半導体一覧表


左の画像はリード線をフォーミングしたものです。上段は左から、UD、MH、下段は裏面です。
このパッケージは元々表面実装用ではなく、UHFチューナーなどで空中配線で実装されるなどしていました。
 




型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
IC
(mA)
PC
(mW)
Tj
(℃)
ICBO最大値 直流又はパルスhFE fT(MHz) NF(dB)
(μA) VCB
(V)
最小/標準/最大
min/typ/max
VCE
(V)
IC
(mA)
最小/標準/最大min/typ/max VCE
(V)
IC
(mA)
最小/標準/最大min/typ/max VCC
(V)
IC
(mA)
fT
(MHz)
HA 2SC2804 東芝 UHF
RF Amp
Si.NPN P 25 20 3 20 200 125 0.1 10 25/100/ 10 2 /900/ 10 2 /3.5/5.5 12 800 2-4F1B
347A
HB 2SC3137 東芝 UHF
MIX OSC
Si.NPN EP 30 15 3 50 200 125 0.1 30 40/100/200 10 5 1500/2400/ 10 2 /8/ 10 2 800 2-4F1B
347A
HE 2SC3172 東芝 TV VHF MIX Si.NPN EP 30 20 3 80 200 125 0.1 25 40/150/300 10 5 900/1400/ 10 5 NF:/3.8/5.5
Gce:23/26/
12 200
260
2-4F1D
347B
HF 2SC2805 東芝 UHF OSC
VHF MIX
Si.NPN E 30 15 3 50 200 125 0.1 15 60/150/320 3 8 1100/1500/ 10 8 Cob:/0.9/1.3pF
CC・rbb':/7/12ps(VCB=10V)
2-4F1D
347B
HG 2SC2806 東芝 VHF
OSC
Si.NPN E 30 15 3 50 200 125 0.1 15 40/100/200 3 8 600/1100/ 10 8 Cob:/0.9/1.3pF
CC・rbb':/7/20ps(VCB=10V)
2-4F1D
347B
HJ 2SC3602 東芝 UHF
RF
Si.NPN EP 25 20 20 200 125 0.1 10 25/100/ 10 2 /1100/ 10 2 /3.3/5.0 12 800 2-4F1B
347A
MA 2SC2876 東芝 UHF~C band
LNA
Si.NPN EP 15 7.5 3 80 200 125 0.1 10 30/ /200 3 50 /7000/ 5 30 /2.3/ 5 10 1000 2-4F1C
347C
ME 2SC3302 東芝 VHF/UHF
LNA
Si.NPN EP 17 12 3 70 200 120 1 10 25/ / 10 20 /5000/ 10 20 /1.7/ 10 5 1000 2-4F1C
347C
MH 2SC3608 東芝 VHF/UHF
LNA
Si.NPN E 20 12 3 80 200 125 1 10 30/100/250 10 20 /7000/ 10 20 /1.1/2.0 10 5 1000 2-4F1C
347C
MN 2SC4319 東芝 VHF/UHF
LNA
Si.NPN E 20 10 1.5 40 200 125 1 10 50/ /250 8 20 /7000/ 8 20 / /2.5 1000 2-4F1C
347C
MO 2SC4323 東芝 VHF/UHF
LNA
Si.NPN EP 20 10 1.5 15 200 150 1 10 50/ /250 6 7 /7000/10000 6 7 /1.8/3.0 6 2000 2-4F1C
347C






型名
Type
社名
Mnf.
用途
Application
構造
Material
and
structure
最大定格 Maximum Ratings (Ta=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形
Package
No.
VDS
(V)
VGS1
(V)
VGS2
(V)
ID
(mA)
PD
(mW)
Tch
(℃)
IDSS(mA) |Yfs|(mS) at 1kHz NF(dB) at 10mA
最小-最大
min-max
VDS
(V)
VG1S/G2S
(V)
最小//最大
min//max
VDS
(V)
ID
(mA)
最小/標準/
min/typ/
VDS
(V)
VG2S
(V)
f
(MHz)
MJ 2SK590 東芝 VHF UHF
RF Amp
GaAs 10 -6 - 80 200 125 20-80 5 0/- /19/ 5 1.2/2.5/ 5 1000 2-4F1
125B
? 3SK112 東芝 VHF RF Amp Si Nch MOS 15 -6 -6 30 200 125 20-45 5 0/0 /17/ 5 10 /1.9/2.8 5 1 800 2-4F1A
125A
UA 3SK101 Y
3SK101 GR
3SK101 BL
東芝 VHF
RF Amp
TV Tuner
Si Nch
MOS
20 ±9 ±9 30 200 125 3-7
6-14
12-24
15 0/4 /20/ 15 10 /2.2/3.2 15 200 2-4F1A
125A
UB 3SK102 Y
3SK102 GR
3SK102 BL
東芝 UHF
RF Amp
TV Tuner
Si Nch
MOS
20 ±9 ±9 30 200 125 3-7
6-14
12-24
15 0/4 8/ / 15 10 /4.0/5.0 15 4 800 2-4F1A
125A
UC 3SK114 O
3SK114 Y
東芝 VHF
RF Amp
Si Nch
MOS
15 ±9 ±9 30 200 125 0-2
1-6
6 0/3 13/20/ 6 10 /1.4/2.8 6 3 200 2-4F1A
125A
UD 3SK115 O
3SK115 Y
東芝 UHF
RF Amp
Si Nch
MOS
15 ±8 ±8 30 200 125 0-2
1-6
6 0/3 /17/ 6 10 /3.2/4.5 6 3 800 2-4F1A
125A
UE 3SK145 O
3SK145 Y
東芝 UHF
RF Amp
Si Nch
MOS
13.5 ±8 ±8 30 200 125 0-2
1-6
6 0/3 /16/ 6 10 /2.6/4 6 3 800 2-4F1A
125A
UG 3SK121 Y
3SK121 GR
東芝 UHF
RF Amp
GaAs
MES
10 -6 -6 50 200 125 20-35
30-45
5 0/0 /17/ 5 10 /1.5/2.5 5 1 800 2-4F1A
125A
UH 3SK150 東芝 UHF
Mix
Si Nch
MOS
15 ±8 ±8 30 200 125 3-14 6 0/3 /22/27 6 10 / /5.5 6 3 200
/245
2-4F1A
125A
UI 3SK152 東芝 UHF
RF Amp
Si Nch
MOS
13.5 ±8 ±8 30 200 125 0-2
1-6
6 0/3 /21/ 6 /2.6/4 6 3 800 2-4F1A
125A
UL 3SK159 東芝 UHF
RF Amp
Si Nch
MOS
13.5 ±8 ±8 30 200 125 0-2
1-6
6 0/3 /18/ 6 /2.1/3.5 6 3 500 2-4F1A
125A
UM 3SK198 東芝 UHF
RF Amp
Si Nch
MOS
13.5 ±8 ±8 30 200 125 0-0.1 6 0/4 /21.5/ 6 /1.9/3.0 6 4 800 2-4F1A
125A

3 おわりに
 それにしても、このパッケージの半導体はデータシートが見つかりません。東芝監修のデータブックでも、英語版はマーキング情報が欠落しているものが多いです。上記のマーキング情報はほとんど日本語版から転記しました。


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