2N3055 [2Nタイプトランジスタ]インデックスに戻る]　［電子部品博物館インデックスに戻る］　［トップページに戻る］ 2023. 1. 9 Ver. 1. 1 情報追加 2022. 2.13 Ver. 1. 0 公開初版 １　はじめに 　2N3055というトランジスタがあります。開発時期は1960年代ですが、世界各国のメーカーでセカンドソースが製造され、今なお生産されているようです。 ２　2N3055の定格 2N3055　東京芝浦電気 　2N3055はアメリカのRCAによって1964年頃に開発されたシリコンNPNトランジスタです。少なくとも、1964年の資料には2N3266まで掲載されています。 　その後、全世界の半導体各社が製造するようになり、現在でも生産されています。日本の東芝も製造していました。 　さて、2N3055はメーカーと製造時期によって定格や特性が異なります。開発元のRCAが1964年頃開発した2N3055、fTを規定した2N3055、その構造を1975年頃変更した2N3055(Hometaxial)があり、他社はこのいずれかの定格で製造しているようです。東芝は後期の2N3055の定格で製造していたようです。また、型番のみをEIAJ型番としたものは2SD878となります。 　初期の2N3055(1966)は漏れ電流が大きく、ベース電流が0でも、VCEOが60Vのときコレクタ電流が200mAも流れます。 　後期にはコンプリメンタリとなるMJ2955も開発されました。 型名 Type ﾐ名 Mnf. 用途 Application 構造 Material and structure 最大定格 Maximum Ratings (Tc=25℃) 電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25℃) 外形 Package No. VCBO (V) VCEO (V) VEBO (V) IC (A) PC (W) Tj (℃) ICEO最大値 直流又はパルスhFE バイアス fT (MHz) Cob (pF) rbb(Ω)* CCrbb' (pS) (mA) VCE (V) 最小/標準/最大 min/typ/max VCE (V) IC (A) VCE (V) IE (mA) 2N3055 1964 RCA PA,SW Si.Diff 100 60 7.0 15A 115 200 20/ /70 4.0 4.0 TO-3 2N3055 1966 RCA PA,SW Si.Diff 100 VCEO(SUS)=60 7.0 15A 115 200 5.0 100 20/ /70 4.0 4.0 TO-3 IB=0mA IC=200mA VBE＝-1.5V 2N3055 Hometaxial 1975 RCA PA,SW Si.Diff 100 60 7.0 15A 115 200 0.7 30 20/ /70 4.0 4.0 4.0 1.0A 0.8/ / TO-3 2N3055 1977 RCA PA,SW Si.Diff 100 60 7.0 15A 115 200 0.7 30 20/ /70 4.0 4.0 4.0 1.0A 2.5/ / TO-3 2N3055 1982 東芝 PA,SW Si.TDiff 100 60 7.0 15A 115 200 0.7 30 20/ /70 4.0 4.0 4.0 1.0A 2.5/ / TO-3 TO-204MA TC-3,TB-3 2-21D1A IB=0mA IC=200mA 2SD878 1983 東芝 PA,SW Si.TDiff 100 60 7.0 15A 115 175 ICBO 100μA VCB 100 20/ /70 4.0 4.0 4.0 1.0A /1.5/ 150 TO-3 TO-204MA TC-3,TB-3 2-21D1A 3　おわりに 　日本とは異なり、2N形式にはセカンドソースが数多くあります。 ［このページのトップに戻る］　[2Nタイプトランジスタインデックスに戻る]　［電子部品博物館インデックスに戻る］　［トップページに戻る］